Електрофізичні та структурні властивості гетеро переходів n-ZnS/p-CdTe
Electronic Archive of Sumy State University
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Електрофізичні та структурні властивості гетеро переходів n-ZnS/p-CdTe
Electrophysical and structural characteristics OF n-ZnS/p-CdTe heterojunctions |
|
| Creator |
Курбатов, Денис Ігорович
Опанасюк, Надія Миколаївна Опанасюк, Анатолій Сергійович Косяк, Володимир Володимирович Kurbatov, Denys Ihorovych Opanasiuk, Nadiia Mykolaivna Opanasiuk, Anatolii Serhiiovych Kosiak, Volodymyr Volodymyrovych Опанасюк, Анатолий Сергеевич Опанасюк, Надежда Николаевна Косяк, Владимир Владимирович Курбатов, Денис Игоревич |
|
| Subject |
ПЛІВКИ СПОЛУК A2B6
ГЕТЕРОПЕРЕХІД ТВЕРДІ РОЗЧИНИ КРИСТАЛІЧНА СТРУКТУРА II-VI FILMS HETEROJUNCTION SOLID SOLUTIONS CRYSTAL STRUCTURE |
|
| Description |
В роботі проведено дослідження електрофізичних та структурних властивостей плівкових гетеропереходів ZnS/CdTe одержаних методом сублімації в замкненому об’ємі при різних умовах конденсації. В результаті визначені коефіцієнти ідеальності гетеропереходів, струми насичення, висоту потенціальних бар‘єрів та механізми струмо-перенесення через гетеросистеми. Структурні дослідження дозволили встановити тип текстури плівок, їх фазовий склад, період кристалічної решітки матеріалів, а також залежність цих параметрів від технологічних умов отримання конденсатів. Показано, що на межі розділу гетеросистем отриманих при температурах підкладки Ts > 773 К утворюються тверді розчини з певним хімічним складом. // Eng Electrophysical and structural characteristics of ZnS/CdTe film heterojunctions obtained by close-spaced vacuum sublimation technique at different growth conditions has been studied in this work. Results of these studies enabled to determine ideality factors, saturation currents, potential barriers and current-transfer mechanisms of these heterostructures. Structural investigations enabled to determine texture type of the films; theirs phase composition, lattice parameters and dependence of these parameters on the growth conditions. As a result, shown that on heterosystems boundary obtained at substrates temperatures Ts > 773 К arise solid solutions with a definite chemical composition.
|
|
| Publisher |
Вид-во СумДУ
|
|
| Date |
2011-01-16T13:39:16Z
2011-01-16T13:39:16Z 2009 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Д.І. Курбатов, Н.М. Опанасюк, А.С. Опанасюк, В.В. Косяк, Ж. нано- та електрон. фіз. 1 №3, 42 (2009)
2077-6772 http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/2645 |
|