Запис Детальніше

Диффузионные процессы и интерфейсное рассеяние электронов в пленочных системах на основе Cu/Fe и Fe/Cr

Electronic Archive of Sumy State University

Переглянути архів Інформація
 
 
Поле Співвідношення
 
Title Диффузионные процессы и интерфейсное рассеяние электронов в пленочных системах на основе Cu/Fe и Fe/Cr
Diffusion processes and interface electron scattering in film systems based on Cu/Fe and Fe/Cr
 
Creator Синашенко, Оксана Владимировна
Салтыкова, А.И.
Проценко, Иван Ефимович
Synashenko, Oksana Volodymyrivna
Saltykova, A.I.
Protsenko, Ivan Yukhymovych
Проценко, Іван Юхимович
Синашенко, Оксана Володимирівна
 
Subject ДИФФУЗИОННЫЙ ПРОФИЛЬ
ВИМС
КОЭФФИЦИЕНТ ДИФФУЗИИ
ШЕРОХОВАТОСТЬ ИНТЕРФЕЙСА
DIFFUSION PROFILE
SIMS
DIFFUSION COEFFICIENT
INTERFACE ROUGHNESS
 
Description Приведены результаты исследования диффузионных процессов методами ВИМС и ОЭС в пленочных системах Cu/Fe и Fe/Cr; изучено влияние температуры отжига на эффективные коэффициенты термодиффузии. Рассчитаны величины коэффициента прохождения электронами интерфейса и эффективные коэффициенты диффузии при различных процессах: конденсационно-стимулированной, ионно-стимулированной и термодиффузии. // Eng Investigation results of diffusion processes by the SIMS and the AES methods in Cu/Fe and Fe/Cr film systems are represented; influence of the annealing temperature on the effective thermal diffusion coefficients is studied. Values of the interface transmission coefficient and the effective diffusion coefficients in different processes, namely, the condensation-stimulate diffusion, the ion-stimulate one, and the thermal diffusion, are calculated.
 
Publisher Изд-во СумГУ
 
Date 2011-01-16T14:39:18Z
2011-01-16T14:39:18Z
2009
 
Type Article
 
Identifier О.В. Сынашенко, А.И. Салтыкова, И.Е. Проценко, Ж. нано- электрон. физ. 1 №2, 89 (2009)
2077-6772
http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/2651