Морфологія поверхні та оптичні властивості плівок CdSe отриманих методом квазізамкненого об’єму
Electronic Archive of Sumy State University
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Морфологія поверхні та оптичні властивості плівок CdSe отриманих методом квазізамкненого об’єму
Surfase morphology and optical properties of CdSe films, obtained by close-spaced sublimation method |
|
| Creator |
Стариков, В.В.
Іващенкo, Максим Миколайович Опанасюк, Анатолій Сергійович Перевертайло, В.Л. Starikov, V.V. Ivashchenko, Maksym Mykolayovych Opanasiuk, Anatolii Serhiiovych Perevertaylo, V.L. Иващенкo, Максим Николаевич Опанасюк, Анатолий Сергеевич |
|
| Subject |
ПЛІВКИ СЕЛЕНІДУ КАДМІЮ
МОРФОЛОГІЯ ПОВЕРХНІ КОЕФІЦІЄНТ ПРОПУСКАННЯ КОЕФІЦІЄНТ ВІДБИТТЯ ШИРИНА ЗАБОРОНЕНОЇ ЗОНИ СADMIUM SELENIDE FILMS SURFACE MORPHOLOGY TRANSMITTANCE COEFFICIENT REFLECTANCE COEFFICIENT WIDE BAND GAP |
|
| Description |
В роботі проведено дослідження морфології поверхні, механізмів росту та оптичних властивостей плівок CdSe, одержаних методом термічного випаровування у квазізамкненому об’ємі, які є перспективними для використання у якості поглинаючих шарів тандемних сонячних елементів та фотодетекторів. Вимірювання оптичних характеристик шарів здійснювалося методами спектрофотометричного аналізу поблизу «червоної межі» фотоактивності напівпровідника. Проведені дослідження дали можливість отримати спектральні розподіли коефіцієнтів пропускання Т(λ), відбиття R(λ), поглинання α(λ), заломлення n(λ), реальної ε1(λ) та уявної ε2(λ) частин оптичної діелектричної сталої зразків та виявити їх залежність від температури осадження плівок. // Eng In present research the investigation of surface morphology, growth mechanism and optical properties of CdSe films, obtained by thermal evaporation by quasi-closed volume method, which is promising for use as absorption layers of tandem solar cells and photodetectors was carried out. Measuring of optical characteristics layers was carried out by spectrum photometric analysis method near “red boundary” semiconductor photoactivity. This research allowed to obtained spectrum distributions of transmittance coefficients T(λ), reflectance coefficients T(λ), absorption coefficients α(λ), refraction coefficients n(λ), real ε1(λ) and imaginary ε2(λ) parts of samples optical dielectric constant and to define their dependence on the films deposition temperature.
|
|
| Publisher |
Вид-во СумДУ
|
|
| Date |
2011-01-19T07:06:55Z
2011-01-19T07:06:55Z 2009 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
В.В. Старіков, М.М. Іващенкo, А.С. Опанасюк, В.Л. Перевертайло, Ж. нано- та електрон. фіз. 1 №4, 100 (2009)
2077-6772 http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/2671 |
|