Роль пластичної деформації у формуванні наноструктурованого кремнію. Фотолюмінісцентні властивості наноструктурованого кремнію
DSpace at ONEU
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Роль пластичної деформації у формуванні наноструктурованого кремнію. Фотолюмінісцентні властивості наноструктурованого кремнію
Роль пластической деформации в формировании наноструктурированного кремния. Фотолюмінісцентні свойства наноструктурированного кремния A role of plastic deformation in formation of nanostructured silicon. Photoluminescent properties of nanostructured silicon |
|
| Creator |
Кулініч, О.А.
Кулинич, О.А. Kulinich, O. |
|
| Subject |
наноструктурований кремній
фотолюмінесценція хімічне виборче травлення наноструктурированный кремний фотолюминесценция химическое избирательное пищеварения nanostructured silicon photoluminescence selective chemical etching |
|
| Description |
У роботі показана роль пластичної деформації в процесі отримання шарів наноструктурованого кремнію. Процес отримання наноструктурованого кремнію полягає в тому, що на поверхні кремнієвої пластини вирощуються шари окислу кремнію різної товщини з подальшим їх видаленням і обробкою в хімічних травниках до появи бездефектного острівкового кремнію, що має фотолюмінісцентні властивості, притаманні нанокремнію. Приведені спектри інтенсивності фотолюмінесценції нанокремнію для різної товщини вирощеного оксиду кремнію. Обговорюються різні механізми зсуву максимуму інтенсивності спектру фотолюмінесценції в короткохвильову область спектру.
В работе показана роль пластической деформации в процессе получения слоев наноструктурированного кремния. Процесс получения наноструктурированного кремния заключается в том, что на поверхности кремниевой пластины выращиваются слоя окиси кремния различной толщины с последующим их удалением и обработкой в химических травниках до появления бездефектного островкового кремния, имеет фотолюмінісцентні свойства, присущие нанокремнію. Приведены спектры интенсивности фотолюминесценции нанокремнію для разной толщины выращенного оксида кремния. Обсуждаются различные механизмы сдвига максимума интенсивности спектра фотолюминесценции в коротковолновую область спектра. The paper shows the role of plastic deformation in the process of obtaining nanostructured silicon layers . The process of obtaining silicon is that the surface of a silicon wafer grown silicon oxide layers of different thicknesses and their subsequent removal and chemical treatment in etchants to the appearance of defect-free silicon islet that has a photoluminescence properties inherent nano silicon . Shown the intensity of the photoluminescence spectra nano silicon for different thicknesses grown silicon oxide. We discuss various mechanisms shift the maximum intensity of the photoluminescence spectrum of the short-wave region of the spectrum. |
|
| Date |
2014-05-13T11:37:29Z
2014-05-13T11:37:29Z 2011 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Кулініч О. А. Роль пластичної деформації у формуванні наноструктурованого кремнію. Фотолюмінісцентні властивості наноструктурованого кремнію / О. А. Кулініч, В.А. Сминтина, М.А. Глауберман [та інш.] // Фізика і хімія твердого тіла. – 2011. - Т. 12, № 1.– С. 101-104.
http://dspace.oneu.edu.ua/jspui/handle/123456789/1384 |
|
| Language |
uk
|
|
| Publisher |
Фізико-хімічний інститут Прикарпатського національного університету імені Василя Стефаника (м. Івано-Франківськ, Україна)
|
|