Дефектообразование в слоистых структурах диоксид кремния – кремний
DSpace at ONEU
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Дефектообразование в слоистых структурах диоксид кремния – кремний
Дефектоутворення в шаруватих структурах діоксид кремнію – кремній Defect structures in sharuvatih dіoksid kremnіyu - kremnіy |
|
| Creator |
Кулинич, О.А.
Кулініч, О.А. Kulinich, O. |
|
| Subject |
диоксид кремний
слоистые структуры моделирование процессов наноразмерные структуры дефект пластин діоксид кремній шаруваті структури моделювання процесів нанорозмірні структури дефект пластин silicon dioxide layered structures process modeling nanoscale structures defect plates |
|
| Description |
Работа посвящена установлению закономерностей процессов дефектообразования в слоистых структурах диоксид кремния-кремний и приборных системах на их основе, установлению механизмов влияния дефектов на электрофизические характеристики, моделированию процессов токопереноса в этих структурах и системах. При помощи теоретических и экспериментальных методов современных исследований установлены свойства и предложено топологическая модель реальной структуры при поверхностной области в кремниевых слоистых структурах диоксид кремния – кремний, которая основана на исследовании механизма возникновения пластической деформации на границе раздела, что приводит к образованию дефектов переходной области кремния. Разработаны физические модели токопереноса в контактах металл-кремний в рамках существующих приближений и модель токопереноса в реальных полевых МОП – системах. Предназначена для широкого круга специалистов в области изучения процессов дефектообразования и студентов соответствующих специальностей.
Робота присвячена встановленню закономірностей процесів дефектоутворення в шаруватих структурах діоксид кремнію-кремній і приладових системах на їх основі, встановленню механізмів впливу дефектів на електрофізичні характеристики, моделювання процесів струмопереносу в цих структурах і системах. За допомогою теоретичних і експериментальних методів сучасних дослідженьвстановлені властивості і запропоновано топологічна модель реальної структури при поверхневій області в кремнієвих шаруватих структурах діоксид кремнію - кремній, яка заснована на дослідженні механізму виникнення пластичної деформації на межі розділу, що призводить до утворення дефектів перехідною області кремнію. Розроблено фізичні моделі струмопереносу в контактах метал-кремній в рамках існуючих наближень і модель струмопереносу в реальних польових МОН - системах. Призначена для широкого кола фахівців в галузі вивчення процесів дефектоутворення та студентів відповідних спеціальностей. Work is devoted to the establishment of the laws of the defect formation in layered silica-silicon and instrument systems based on them, the establishment of mechanisms for the effect of defects on the electrical characteristics, simulation of charge transport in these structures and systems. By means of theoretical and experimental techniques of modern research and set properties proposed topological model of the real structure in the surface region of the silicon layered structures silica - silicon, based on the study of the mechanism of occurrence of plastic deformation at the interface, which leads to the formation of defects in the transition region of silicon. A physical model of charge transport in metal-silicon contacts within existing approximations and model of charge transport in real MOSFET - systems. Designed for a wide range of experts in the study of the defect formation and students in relevant disciplines. |
|
| Date |
2014-11-10T09:41:36Z
2014-11-10T09:41:36Z 2011 |
|
| Type |
Book
|
|
| Identifier |
Кулинич О. А. Дефектообразование в слоистых структурах диоксид кремния – кремний: монография / О. А. Кулинич, И. Яцунский, М. Глауберман. – 2011. – 264 с.
http://dspace.oneu.edu.ua/jspui/handle/123456789/2544 |
|
| Language |
ru
|
|
| Publisher |
LAP LAMBERT Academic Publishing
|
|