Запис Детальніше

Фотолюминесцентный метод исследования пластической деформации на границе раздела «SiO2 – Si»

DSpace at ONEU

Переглянути архів Інформація
 
 
Поле Співвідношення
 
Title Фотолюминесцентный метод исследования пластической деформации на границе раздела «SiO2 – Si»
Фотолюмінесцентного метод дослідження пластичної диформации на межі розділу «SiO2 - Si»
Photoluminescent research method of plastic deformation at the interface «SiO2 - Si»
 
Creator Кулинич, О.А.
Кулініч, О.А.
Kulinich, O.
 
Subject люминесцентная
пластическая деформация
дефекты
дислокации
напряжение
люмінесцентна
пластична деформація
дефекти
діслокаціі
напруга
fluorescent
plastic deformation
defects
dislocations
strain
 
Description Показана возможность использовнаия метода фотолюминесценции для изучения механизмов пластической деформации на границе «оксид кремния – кремний» в процессе получения слоев наноструктурированного кремния деформационным методом.
Показана можливість використання методу фотолюмінесценції для вивчення механізмів пластичної деформації на межі «оксид кремнію - кремній» в процесі отримання шарів наноструктурованого кремнію деформаційним методом.
The possibility of exploitation by the photoluminescence method for studying the mechanisms of plastic deformation at the "silicon oxide - silicon" in the process of obtaining nanostructured silicon layers deformation method.
 
Date 2014-11-11T11:53:20Z
2014-11-11T11:53:20Z
2012
 
Type Article
 
Identifier Кулинич О. А. Фотолюминесцентный метод исследования пластической деформации на границе раздела «SiO2 – Si» / О. А. Кулинич, И. Р. Яцунский, Т. Ю. Ештокина и другие // Технология и конструирование в электронной аппратуре. – 2012. - № 2. – С. 47-50.
http://dspace.oneu.edu.ua/jspui/handle/123456789/2559
 
Language ru