Фотолюминесцентный метод исследования пластической деформации на границе раздела «SiO2 – Si»
DSpace at ONEU
Переглянути архів ІнформаціяПоле | Співвідношення | |
Title |
Фотолюминесцентный метод исследования пластической деформации на границе раздела «SiO2 – Si»
Фотолюмінесцентного метод дослідження пластичної диформации на межі розділу «SiO2 - Si» Photoluminescent research method of plastic deformation at the interface «SiO2 - Si» |
|
Creator |
Кулинич, О.А.
Кулініч, О.А. Kulinich, O. |
|
Subject |
люминесцентная
пластическая деформация дефекты дислокации напряжение люмінесцентна пластична деформація дефекти діслокаціі напруга fluorescent plastic deformation defects dislocations strain |
|
Description |
Показана возможность использовнаия метода фотолюминесценции для изучения механизмов пластической деформации на границе «оксид кремния – кремний» в процессе получения слоев наноструктурированного кремния деформационным методом.
Показана можливість використання методу фотолюмінесценції для вивчення механізмів пластичної деформації на межі «оксид кремнію - кремній» в процесі отримання шарів наноструктурованого кремнію деформаційним методом. The possibility of exploitation by the photoluminescence method for studying the mechanisms of plastic deformation at the "silicon oxide - silicon" in the process of obtaining nanostructured silicon layers deformation method. |
|
Date |
2014-11-11T11:53:20Z
2014-11-11T11:53:20Z 2012 |
|
Type |
Article
|
|
Identifier |
Кулинич О. А. Фотолюминесцентный метод исследования пластической деформации на границе раздела «SiO2 – Si» / О. А. Кулинич, И. Р. Яцунский, Т. Ю. Ештокина и другие // Технология и конструирование в электронной аппратуре. – 2012. - № 2. – С. 47-50.
http://dspace.oneu.edu.ua/jspui/handle/123456789/2559 |
|
Language |
ru
|
|