Запис Детальніше

Factors influencing the yield stress of silicon

DSpace at ONEU

Переглянути архів Інформація
 
 
Поле Співвідношення
 
Title Factors influencing the yield stress of silicon
Фактори, що впливають на величину порога пластичності в кремнії
Факторы, влияющие на величину порога пластичности в кремнии
 
Creator Kulinich, O.
Кулініч, О.А.
Кулинич, О.А.
 
Subject silicon
structural defects
the yield stress
кремній
структурні дефекти
поріг пластичності
кремний
структурные дефекты
порог пластичности
 
Description Factors influencing the yield stress of silicon are investigated with advanced research methods. It is shown that elastic stresses which are concentrated at the structural defects (dislocation, crystalline
grain boundary, dendrite and lamella) will influence on the yield stress of silicon.
За допомогою сучасних методів дослідження, визначені фактори, що впливають на величину порога пластичності в напівпровідниковому кремнію. Поряд з відомими факторами, на величину порога пластичності впливають пружні напруження, що локалізовані в області знаходження структурних дефектів.
Используя современные методы исследования, определены факторы, влияющие на величину порога пластичности монокристаллического кремния. Наряду с известными факторами, величина порога плстичности будет зависеть от упругих напряжений, локализованных в облатси нахождения структурных дефектов.
 
Date 2014-11-11T12:18:51Z
2014-11-11T12:18:51Z
2010
 
Type Article
 
Identifier Kulinich O. Factors influencing the yield stress of silicon / O. Kulinich, V. Smyntyna, I. Iatsunskyi, I. Marchuk // Фотоэлектроника. – 2010. - № 19. - С. 120-124.
http://dspace.oneu.edu.ua/jspui/handle/123456789/2561
 
Language en