Electrophysical and structural properties of n-ZnS/p-CdTe heterojunctions
Electronic Archive of Sumy State University
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Electrophysical and structural properties of n-ZnS/p-CdTe heterojunctions
Електрофізичні та структурні властивості гетеропереходів n-ZnS/p-CdTe |
|
| Creator |
Kurbatov, Denys Ihorovych
Курбатов, Денис Игоревич Курбатов, Денис Ігорович Opanasiuk, Nadiia Mykolaivna Опанасюк, Надежда Николаевна Опанасюк, Надія Миколаївна Opanasiuk, Anatolii Serhiiovych Опанасюк, Анатолий Сергеевич Опанасюк, Анатолій Сергійович Kosiak, Volodymyr Volodymyrovych Косяк, Владимир Владимирович Косяк, Володимир Володимирович |
|
| Subject |
плівки сполук А2В6
тверді розчини кристалічна структура механізм струмоперенесення пленки соединений А2В6 твердые растворы кристаллическая структура II-VI films solid solutions crystal structure |
|
| Description |
В роботі проведено дослідження електрофізичних та структурних властивостей плівкових гетеропереходів ZnS/CdTe одержаних методом сублімації в замкненому об’ємі при різних умовах конденсації. В результаті визначені коефіцієнти ідеальності гетеропереходів, струми насичення, висоту потенціальних бар‘єрів та механізми струмо-перенесення через гетеросистеми. Структурні дослідження дозволили встановити тип текстури плівок, їх фазовий склад, період кристалічної решітки матеріалів, а також залежність цих параметрів від технологічних умов отримання конденсатів. Показано, що на межі розділу гетеросистем отриманих при температурах підкладки Ts > 773 К утворюються тверді розчини з певним хімічним складом.
Electrophysical and structural properties of ZnS/CdTe film heterojunctions obtained by the sublimation method in quasi-closed volume at different growth conditions have been studied in this work. As a result, the ideality factors, saturation currents, potential barriers and the charge-transport mechanisms of these heterostructures are found. Structural investigations allowed to determine the texture type of the films, their phase composition, the lattice parameters, and the dependence of these parameters on the growth conditions as well. Shown, that on the interface of heterosystems obtained at the substrate temperatures Ts > 773 Ê the solid solutions with certain chemical composition are formed. |
|
| Publisher |
Вид-во СумДУ
|
|
| Date |
2011-03-04T08:55:27Z
2011-03-04T08:55:27Z 2009 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
J. Nano- Electron. Phys.
1 (2009) No3, P. 25-36
http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/3599 |
|
| Language |
en
|
|