Morfological and structural characteristics of II–VI semiconductor thin films (ZnTe,CdTe,ZnS)
Electronic Archive of Sumy State University
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Morfological and structural characteristics of II–VI semiconductor thin films (ZnTe,CdTe,ZnS)
|
|
| Creator |
Опанасюк, Анатолій Сергійович
Опанасюк, Анатолий Сергеевич Opanasiuk, Anatolii Serhiiovych Курбатов, Денис Ігорович Курбатов, Денис Игоревич Kurbatov, Denys Ihorovych Косяк, Володимир Володимирович Косяк, Владимир Владимирович Kosiak, Volodymyr Volodymyrovych Колесник, Максим Миколайович Колесник, Максим Николаевич Kolesnyk, Maksym Mykolaiovych Данильченко, Сергій Миколайович Данильченко, Сергей Николаевич Danylchenko, Serhii Mykolaiovych |
|
| Subject |
II-VI полупроводниковые соединения
тонкие пленки кристаллическая структура дефекты кристаллической решетки рентгеновская дифракция замкнутое пространство сублимации II-VI напівпровідникові з`єднання тонкі плівки кристалічна структура дефекти кристалічної решітки рентгенівська дифракція замкнутий простір сублімації II-VI semiconductor compounds thin films crystal structure lattice defects x-ray diffraction closed space sublimation |
|
| Description |
Були досліджені морфологія поверхні і мікроструктурні характеристики тонких плівок ZnTe, CdTe і ZnS, отриманих методом квазі-замкнутого обєму. Структурні особливості шарів були розглянуті методами XRD, SEM і оптичної мікроскопії. Розмір областей когерентного розсіювання, решітки мікродеформації і концентрація дефектів зсуву були оцінені з рентгенівського дифракційного розширення. Проведені дослідження показують вплив умов одержання на основні структурні характеристики тонких плівок ZnTe, CdTe і ZnS.
Были исследованы морфология поверхности и микроструктурные характеристики тонких пленок ZnTe, CdTe и ZnS, полученных методом квази-замкнутого объема. Структурные особенности слоев были рассмотрены методами XRD, SEM и оптической микроскопией. Размер областей когерентного рассеяния, решетки микродеформации и концентрация дефектов сдвига были оценены из рентгеновского дифракционного уширения. Проведенные исследования показывают влияние условий получения на основные структурные характеристики тонких пленок ZnTe, CdTe и ZnS. The surface morphology and microstructural characteristic of ZnTe, CdTe and ZnS thin films obtained by close-spaced sublimation technique were investigated. The structural features of layers were examined by XRD, SEM and optical microscopy. Size of coherent scattering regions, lattice microstrain and stacking fault defect concentration were estimated from X-ray diffraction line broadening. The investigation performed elucidates effect of preparation conditions on main structural characteristics of ZnTe, CdTe and ZnS thin films |
|
| Publisher |
Publisher Taylor & Francis Group
|
|
| Date |
2011-03-09T07:33:16Z
2011-03-09T07:33:16Z 2008 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Morfological and structural characteristics of II–VI semiconductor thin films (ZnTe,CdTe,ZnS) /A.A. Opanasyuk, D.I. Kurbatov, V.V. Kosyak at all. // Integrated Ferroelectrics — 2009. —103. — С. 32-40.
http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/3603 |
|
| Language |
en
|
|