Point defect structure in CdTe and ZnTe thin films
Electronic Archive of Sumy State University
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Point defect structure in CdTe and ZnTe thin films
|
|
| Creator |
Опанасюк, Анатолій Сергійович
Опанасюк, Анатолий Сергеевич Opanasiuk, Anatolii Serhiiovych Косяк, Володимир Володимирович Косяк, Владимир Владимирович Kosiak, Volodymyr Volodymyrovych Колесник, Максим Миколайович Колесник, Максим Николаевич Kolesnyk, Maksym Mykolaiovych |
|
| Subject |
CdTe
ZnTe тонкие пленки квази-замкнутый объем точечный дефект темные ВАХ инжекционная спектроскопия квази-химический формализм CdTe ZnTe тонкі плівки квазі-замкнутий об`єм точковий дефект темні ВАХ інжекційна спектроскопія квазі-хімічний формалізм CdTe ZnTe Thin films Quasi-close volume Point defects Dark voltage–current Characteristic Injection spectroscopy Quasi-chemical formalism |
|
| Description |
Були досліджені точкові дефекти структури (ТДС) в тонких плівках CdTe та ZnTe, вирощених методом квазі-замкнутого обєму на різних підкладках. Плівки були проаналізовані методом рентгенівської дифракції і скануючої електронної мікроскопії. Для вивчення точкових дефектів, були досліджені співвідношення провідність-температура і темна-ВАХ-струмові характеристики з використанням теорії просторового заряду обмежених струмів. Глибокі енергетичні рівні в забороненій зоні вивчалися методом інжекційної спектроскопії. У забороненій зоні як CdTe так і ZnTe спектр центрів пасток і акцепторів з різними енергіями не виявлено. Для моделі ТДС плівок був застосований квазі-хімічний формалізм.
Были исследованы точечные дефекты структуры (ТДС) в тонких пленках CdTe и ZnTe, выращенных методом квази-замкнутого объем на различных подложках. Пленки были проанализированы методом рентгеновской дифракции и сканирующей электронной микроскопии. Для изучения точечных дефектов, были исследованы соотношения проводимость-температура и темная-ВАХ- токовые характеристики с использованием теории пространственного заряда ограниченных токов. Глубокие энергетические уровни в запрещенной зоне изучались методом инжекционной спектроскопии. В запрещенной зоне как CdTe так и ZnTe спектр центров ловушек и акцепторов с различными энергиями не выявлено. Для модели ТДС пленок был применен квази-химический формализм. The point defect structure (PDS) in CdTe and ZnTe thin films grown by the quasi-close volume method on different substrates was investigated. The films were analyzed by X-ray diffraction and scanning electron microscopy. To study the point defects the conductivity– temperature relationships and dark voltage–current characteristics using the theory of space charge limited currents were investigated. The deep energy levels in the band gap (BG) were studied by the method of injection spectroscopy. In the BG of both CdTe and ZnTe a range of trap centers and acceptors with different energy were revealed. To model the PDS in the films the quasi-chemical formalism was applied. |
|
| Publisher |
Publisher Springer Science+Business Media
|
|
| Date |
2011-03-09T07:19:09Z
2011-03-09T07:19:09Z 2008 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Opanasyuk A.S. Point defect structure in CdTe and ZnTe thin films./A.S. Opanasyuk, V.V. Kosyak, M.M. Kolesnik // Journal Mater Sciencts: Mater Electron . — 2008. — №19. — P.375-381.
http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/3602 |
|
| Language |
en
|
|