Запис Детальніше

Ion beam system for nanotrimming of functional microelectronics layers

Vernadsky National Library of Ukraine

Переглянути архів Інформація
 
 
Поле Співвідношення
 
Title Ion beam system for nanotrimming of functional microelectronics layers
 
Creator Bizyukov, A.A.
Bizyukov, I.A.
Girka, O.I.
Sereda, K.N.
Sleptsov, V.V.
Gutkin, M.
Mishin, S.
 
Subject Низкотемпературная плазма и плазменные технологии
 
Description This paper concerns with investigation of the trimming process which uses ion beam etching for high-precision
adjustment of the thickness of functional microelectronics layers. The layer deposited on the substrate is etched by
scanning focused ion beam; its position and power is regulated according to the topography of layer non-uniformity.
The trimming allows to create pre-defined topography of the non-uniformity with accuracy down to 4 Å and decrease
the roughness of the surface.
Досліджено процес коригувального іонно-променевого травлення для регулювання з високою точністю товщини функціональних шарів мікроелектроніки. Функціональний шар на підкладці витравлюється скануючим сфокусованим іонним пучком, локалізація та потужність якого відповідають топографії неоднорідності товщини функціонального шару. Показана можливість регулювання розподілу товщини плівок по поверхні підкладок до +/-4 Å та зменшення шорсткості поверхні.
Исследован процесс корректирующего ионно-лучевого травления для регулировки с высокой точностью толщины функциональных слоев микроэлектроники. Функциональный слой на подложке травится сканирующим сфокусированным ионным пучком, локализация и мощность которого соответствуют топографии неоднородности толщины функционального слоя. Показана возможность регулировки распределения толщины пленок по поверхности подложек до +/-4 Å и уменьшения шероховатости поверхности.
 
Date 2016-01-05T18:25:47Z
2016-01-05T18:25:47Z
2011
 
Type Article
 
Identifier Ion beam system for nanotrimming of functional microelectronics layers / A.A. Bizyukov, I.A. Bizyukov, O.I. Girka, K.N. Sereda, V.V. Sleptsov, M. Gutkin, S. Mishin // Вопросы атомной науки и техники. — 2011. — № 1. — С. 110-112. — Бібліогр.: 3 назв. — англ.
1562-6016
PACS: 52.40.Hf
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/90892
 
Language en
 
Relation Вопросы атомной науки и техники
 
Publisher Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України