Модель омического контакта ПТШ с использованием метода крупных частиц
Електронного архіву Харківського національного університету радіоелектроніки (Open Access Repository of KHNURE)
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Creator |
Асанов, Э. Э.
Килесса, Г. В. Зуев, С. А. Слипченко, Н. И. |
|
| Date |
2012-11-13T08:46:12Z
2012-11-13T08:46:12Z 2012 |
|
| Identifier |
Асанов, Э. Э. Модель омического контакта ПТШ с использованием метода крупных частиц / Э. Э. Асанов, Г. В. Килесса, С. А. Зуев, Н. И. Слипченко // СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии : материалы 22-й Междунар. Крымской конф. (КрыМиКо'2012), 10-14 сент. 2012 г. - Севастополь : Вебер, 2012. - Т. 1. - С. 155-156.
http://hdl.handle.net/123456789/359 |
|
| Description |
В работе представлены основные положения, на основе которых построена численная модель контакта металл-полупроводник для случая омического контакта. В результате проведенных вычислительных экспериментов получены вольтамперные характеристики кон- такта и распределения полей, свидетельствующие о достоверной работе модели. |
|
| Language |
ru
|
|
| Publisher |
Вебер
|
|
| Subject |
субмикронные полупроводниковые приборы
полевые транзисторы с затвором Шоттки контакт металл-полупроводник короткоканальные приборы нанофизика туннельные явления физика полупроводников |
|
| Title |
Модель омического контакта ПТШ с использованием метода крупных частиц
|
|
| Type |
doclad
|
|