Иследование оптических и электрических параметров тонких пленок In2O3/SnO2
Електронного архіву Харківського національного університету радіоелектроніки (Open Access Repository of KHNURE)
Переглянути архів ІнформаціяПоле | Співвідношення | |
Creator |
Слипченко, Н. И.
Письменецкий, В. А. Герасименко, Н. В. Антонова, В. А. Костышин, Я. Я. |
|
Date |
2012-12-04T13:17:48Z
2012-12-04T13:17:48Z 2012 |
|
Identifier |
Слипченко, Н. И. Иследование оптических и электрических параметров тонких пленок In2O3/SnO2. / Н. И. Слипченко, В. А. Письменецкий, Н. В. Герасименко и др. // Функциональная база наноэлектроники : сб. науч. тр. V Междунар. науч. конф., 30 сент. – 5 окт. 2012 г. – Х. ; Кацивели : ХНУРЭ, 2012. – С. 321–324.
http://hdl.handle.net/123456789/438 |
|
Description |
In this paper we experimentally investigated the technology formation of In2O3/SnO2 thin films. The influence of physical and technological factors on the optical and electrical characteristics were analyzed. Shown the expediency of the application of films In2O3/SnO2 in the high-efficiency solar cells. В различных современных оптоэлектронных приборах в качестве проводящих электродов используются пленки широкозонных вырожденных полупроводников. Такие пленки должны сочетать высокий коэффициент пропускания (Т ≥ 86%) в спектральных условиях, соответствующих солнечному излучению, и минимальное поверхностное сопротивление (Ri <12 Ом / кв) |
|
Language |
ru
|
|
Publisher |
ХНУРЭ
|
|
Subject |
наноэлектроника
оптоэлектроника |
|
Title |
Иследование оптических и электрических параметров тонких пленок In2O3/SnO2
|
|
Type |
Article
|
|