Исследование влияния параметров состава Х на выходные характеристики тандемных фотопреобразователей со структурой AlGaAs-InGaAs-GaAs
Електронного архіву Харківського національного університету радіоелектроніки (Open Access Repository of KHNURE)
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Creator |
Слипченко, Н. И.
Письменецкий, В. А. Лукьяненко, В. Л. Гуртовой, М. Ю. |
|
| Date |
2012-12-17T13:19:28Z
2012-12-17T13:19:28Z 2011 |
|
| Identifier |
Слипченко, Н. И. Исследование влияния параметров состава Х на выходные характеристики тандемных фотопреобразователей со структурой AlGaAs-InGaAs-GaAs / Н. И. Слипченко, В. А. Письменецкий, В. Л. Лукьяненко, М. Ю. Гуртовой // Функциональная база наноэлектроники : сб. науч. тр. IV Междунар. науч. конф., 30 сент. – 3 окт. 2011 г. – Х. ; Кацивели : ХНУРЭ, 2011. – С. 302–305.
http://hdl.handle.net/123456789/572 |
|
| Description |
The approximating models of basic electrophysical parameters of triple compaunds AlхGa1-хAs and InхGa1-хAs at a composition parameter x variation are proposed. The influence of composition parameter x on output characteristics of tandem photoconverters with structure AlGaAs-InGaAs-GaAs has been investigated.
|
|
| Language |
ru
|
|
| Publisher |
ХНУРЭ
|
|
| Subject |
наноэлектроника
фотопреобразователи солнечная фотоэнергетика |
|
| Title |
Исследование влияния параметров состава Х на выходные характеристики тандемных фотопреобразователей со структурой AlGaAs-InGaAs-GaAs
|
|
| Type |
Article
|
|