Моделювання фотоперетворюючих гетероструктур на основі аморфного та монокристалічного кремнію
Електронного архіву Харківського національного університету радіоелектроніки (Open Access Repository of KHNURE)
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Creator |
Биков, М. О.
|
|
| Date |
2012-12-18T09:52:32Z
2012-12-18T09:52:32Z 2011 |
|
| Identifier |
Биков, М. О. Моделювання фотоперетворюючих гетероструктур на основі аморфного та монокристалічного кремнію : автореф. дис. ... канд. фіз.-мат. наук : 01.04.01 "Фізика приладів, елементів і систем" / Биков Михайло Олександрович ; Харьк. нац. ун-т радиоэлектроники. – Х., 2011. – 21 с.
http://hdl.handle.net/123456789/574 |
|
| Description |
Дисертаційна робота присвячена дослідженню фотоелектричних характеристик фотоперетворюючої структури на основі гетероструктур аморфного та монокристалічного кремнію (ГАМК), збільшенню ефективності структури в комплексі із прийнятними технологічними витратами на виробництво, розробці чисельно-аналітичної моделі процесу переносу носіїв у напівпровідникових структурах на основі ГАМК. Це завдання є актуальним, становить теоретичний інтерес і має практичне значення. Створено й реалізовано нову чисельно-аналітичну модель ГАМК, що дозволяє проводити розрахунки диференціальних й інтегральних характеристик фотоперетворюючих структур з урахуванням щільності станів у щілині рухливості гідрогенізованого аморфного кремнію, що базується на розв’язанні кінетичного рівняння й рівняння Пуассона. Дана система рівнянь розв’язується методом великих часток. На основі запропонованої чисельно-аналітичної моделі створено пакет програм моделювання, що дозволяє проводити ряд досліджень аморфних кремнієвих структур і ГАМК, у результаті яких було виявлено залежності основних фотоелектричних характеристик від їхніх конструктивних параметрів. The thesis is devoted to investigation into photoelectric characteristics of the photo converting structure based on amorphous silicon monocrystal heterostructures (ASMH), increase in the structure efficiency complete with reasonable technological expenditures for production, development of numerical-analytical model of the carrier transfer process in the semiconductor structures based on HASM. This is the urgent problem, it is of theoretical interest and practical significance. A new numerical-analytical model of ASMH has been developed and realized of, it makes possible to carry out computation of differential and integral characteristics of photo converting structures taking into account density of states in the mobility slit of the hydrogenised amorphous silicon based on solution of kinetic equation and Poisson equation. The given system is solved using the large particles method. The program package for simulation, making it possible to carry out a number of investigations into amorphous silicon structures and ASMH, was realized on the basis of the offered numerical-analytical model; as a result of these investigations the dependences of the main photoelectric characteristics on their design parameters were reviled. |
|
| Language |
uk
|
|
| Publisher |
Харьк. нац. ун-т радиоэлектроники
|
|
| Subject |
гетероструктура аморфного та монокристалічного кремнію (ГАМК)
аморфна тонкоплівкова структура фотоперетворювач процеси розсіювання чисельно-аналітична модель метод великих часток amorphous silicon monocrystal heterostructures (ASMH) amorphous thin-film structure photo converter dispersion processes, numerical-digital model large particles method |
|
| Title |
Моделювання фотоперетворюючих гетероструктур на основі аморфного та монокристалічного кремнію
|
|
| Type |
Abstract
|
|