Метод и устройство измерения диаметра слитка GaAs в процессе выращивания методом с жидкостной герметизацией
Електронного архіву Харківського національного університету радіоелектроніки (Open Access Repository of KHNURE)
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Creator |
Оксанич, А. П.
Притчин, С. Э. Петренко, В. Р. Тербан, В. А. |
|
| Date |
2014-07-14T10:49:12Z
2014-07-14T10:49:12Z 2012 |
|
| Identifier |
Метод и устройство измерения диаметра слитка GaAs в процессе выращивания методом с жидкостной герметизацией / А. П. Оксанич, С. Э. Притчин, В. Р. Петренко, В. А. Тербан // Прикладная радиоэлектроника : науч.-техн. журн. – Х. : ХНУРЭ, 2012. – Т. 11, № 1. – С. 54–62.
http://hdl.handle.net/123456789/1241 |
|
| Description |
Разработан метод измерения диаметра слитка GaAs, выращиваемого по методу с жидкостной герметизацией, который основанный на измере-нии веса слитка, учитывающий погрешности канала измерения веса и погрешности преобра-зования. Разработано устройство, реализующее данный метод.Достигнутая абсолютная погреш-ность измерения для слитков диаметром 100 мм составила ± 1,5 мм.A method for measuring the diameter of an ingot of GaAs grown by LEC method based on measuring the weight of the ingot taking into account the errors of a weight measurement channel and conversion errors is developed. A device is developed which implements the method.The achieved absolute error of measurement for ingots of a 100 mm diameter has constituted ± 1,5 mm. |
|
| Language |
ru
|
|
| Publisher |
ХНУРЭ
|
|
| Subject |
метод Чохральского с жидкостной герметизацией
арсенид галлия измерение диаметра Liquid Encapsulated Czochralski GaAs diameter measurement |
|
| Title |
Метод и устройство измерения диаметра слитка GaAs в процессе выращивания методом с жидкостной герметизацией
|
|
| Type |
Article
|
|