Разработка технологии получения кремниевых эпитаксиальных структур с уменьшенной величиной концентрационной переходной области
Електронного архіву Харківського національного університету радіоелектроніки (Open Access Repository of KHNURE)
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Creator |
Оксанич, А. П.
Седин, Е. А. |
|
| Date |
2014-07-18T11:41:54Z
2014-07-18T11:41:54Z 2012 |
|
| Identifier |
Оксанич, А. П. Разработка технологии получения кремниевых эпитаксиальных структур с уменьшенной величиной концентрационной переходной области / А. П. Оксанич, Е. А. Седин // Прикладная радиоэлектроника : науч.-техн. журн. – Х. : ХНУРЭ, 2012. – Т. 11, № 1. – С. 100–103.
http://hdl.handle.net/123456789/1253 |
|
| Description |
Разработан метод и установка получения кремниевых эпитаксиальных слоёв на сильно легированных подложках с резким концентрационным переходом вблизи границы слой-подложка. Показано, что при проведении пиролиза в аргоне при пониженном давлении разброс по толщине и концентрации легирующей примеси в слоях уменьшается приблизительно в два раза и составляет менее 10%.A method and a unit for obtaining silicon epitaxial layers on heavily doped substrates with a sharp concentration transition near the boundary layer-substrate interface are developed. It is shown that at the realization of pyrolysis in argon at reduced pressure a variaty in thickness and dopant concentration in the layers is reduced by approximately half and is less than 10%. |
|
| Language |
ru
|
|
| Publisher |
ХНУРЭ
|
|
| Subject |
пиролиз
концентрация примеси диффузия, силан пониженное давление pyrolysis impurity concentration diffusion silane reduced pressure |
|
| Title |
Разработка технологии получения кремниевых эпитаксиальных структур с уменьшенной величиной концентрационной переходной области
|
|
| Type |
Article
|
|