Численная модель барьера Шоттки
Електронного архіву Харківського національного університету радіоелектроніки (Open Access Repository of KHNURE)
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Creator |
Асанов, Э. Э.
Зуев, С. А. Килесса, Г. В. Слипченко, Н. И. Старостенко, В. В. |
|
| Date |
2014-08-06T10:26:14Z
2014-08-06T10:26:14Z 2012 |
|
| Identifier |
Численная модель барьера Шоттки / Э. Э. Асанов и др. // Прикладная радиоэлектроника : науч.-техн. журн. – Х. : ХНУРЭ, 2012. – Т. 11, № 3. – С. 378–383.
http://hdl.handle.net/123456789/1304 |
|
| Description |
В работе представлено описание численной модели выпрямляющего контакта металл- полупроводник. Для верификации разработанной модели был проведен ряд вычислительных экс- периментов, в ходе которых получены результаты, в частности вольтамперная характеристика, свидетельствующие о досто-верной работе модели. The paper presents a description of the numerical model of a rectifying metal-semiconductor contact. To verify the model developed a number of computing experiments have been conducted and results have been obtained, the current-voltage characteristic, in particular, which are evidence of the authentic operation of the model. |
|
| Language |
ru
|
|
| Publisher |
ХНУРЭ
|
|
| Subject |
контакт металл-полупроводник
барьер Шоттки моделирование методом макрочастиц metal-semiconductor contact modeling by macroparticle method |
|
| Title |
Численная модель барьера Шоттки
|
|
| Type |
Article
|
|