Запис Детальніше

Об улучшении чувствительности кремниевых фотосенсоров

Електронного архіву Харківського національного університету радіоелектроніки (Open Access Repository of KHNURE)

Переглянути архів Інформація
 
 
Поле Співвідношення
 
Creator Костылев, В. П.
Слусар, Т. В.
Суший, А. В.
Черненко, В. В.
 
Date 2014-09-19T10:23:47Z
2014-09-19T10:23:47Z
2012
 
Identifier Об улучшении чувствительности кремниевых фотосенсоров / В. П. Костылев, Т. В. Слусар и др. // Прикладная радиоэлектроника : науч.-техн. журн. – Х. : ХНУРЭ, 2012. – Т. 11, № 3. – С. 440–441.
http://hdl.handle.net/123456789/1331
 
Description В работе исследованы возможности улучшения характеристик кремниевых фотосенсоров класси-
ческой конструкции. Экспериментально установлено, что тонкий поверхностный слой сильнолегированного эмиттера в таких сенсорах имеет нарушенную структуру с высоким уровнем рекомбинационных потерь. В результате этого фотосенсоры имеют большие величины обратных темновых токов, низкую коротковолновую чувствительность, недостаточно высокие значения фотоэлектри-
ческих параметров. Показано, что удаление нарушенного слоя посредством применения циклов cтравливания-выращивания слоя окисла на поверхности эмиттера в процессе изготовления фотосенсоров является эффективным методом уменьшения рекомбинационных потерь и позволяет су-
щественно повысить их коротковолновую и пороговую чувствительность. The possibilities of improving of classic design silicon photosensor characteristics are investigated in the paper. It is shown that the effective method to reduce recombination
losses and increase threshold sensitivity is using cycles of etching-growing of the oxide layer from the emitter surface during the production of photosensors, which allows
to substantially increase short-wavelength photo sensitivity and operation efficiency.
 
Language ru
 
Publisher ХНУРЭ
 
Subject фотосенсор
фоточувствительность
рекомбинационные потери
спектральная характеристика
обратный темновой ток
photosensor
photosensitivity
recombination losses
 
Title Об улучшении чувствительности кремниевых фотосенсоров
 
Type Article