Определение спектра поглощения аморфного кремния
Електронного архіву Харківського національного університету радіоелектроніки (Open Access Repository of KHNURE)
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Creator |
Сологуб, О. Ю.
|
|
| Date |
2014-10-20T11:47:49Z
2014-10-20T11:47:49Z 2013 |
|
| Identifier |
Сологуб, О. Ю. Определение спектра поглощения аморфного кремния / О. Ю. Сологуб // СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии : материалы 23-й Междунар. Крымской конф. (КрыМиКо'2013), 8-13 сент. 2013 г. - Севастополь : Вебер, 2013. - Т. 2. - С. 754-755.
http://hdl.handle.net/123456789/1380 |
|
| Description |
Приведена эмпирическая модель спектральной зависимости коэффициента поглощения аморфного кремния. Показано влияние степени разупоря-доченности аморфной структуры на величину коэффициента поглощения. Результаты могут быть применены при моделировании работы приборов на основе a-Si:Н. An empirical model of the spectral dependence of amorphous silicon absorption coefficient is presented. The effect of the amorphous structure degree of disorder on the absorption coefficient value is demonstrated. The results can be applied for modeling of devices based on a-Si:H. |
|
| Language |
ru
|
|
| Publisher |
Вебер
|
|
| Subject |
спектр поглощения аморфного кремния
полупороводниковый кремний amorphous silicon |
|
| Title |
Определение спектра поглощения аморфного кремния
|
|
| Type |
Article
|
|