Модель токопереноса в гетероструктуре аморфный - монокристаллический кремний
Електронного архіву Харківського національного університету радіоелектроніки (Open Access Repository of KHNURE)
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Creator |
Быков, М .А.
Слипченко, Н. И. Зуев, С. А. |
|
| Date |
2015-01-23T09:10:39Z
2015-01-23T09:10:39Z 2010 |
|
| Identifier |
Быков, М .А. Модель токопереноса в гетероструктуре аморфный - монокристаллический кремний / М. А. Быков, Н. И. Слипченко, С. А. Зуев // Функциональная компонентная база микро-, опто- и наноэлектроники : сб. науч. тр. ІІІ Междунар. науч. конф., 28 сент. – 2 окт. 2010 г. – Х. ; Кацивели : ХНУРЭ, 2010. – С. 245-247
http://hdl.handle.net/123456789/1816 |
|
| Description |
In this paper the results of numerical researches of carrier’s transitions processes in structures on the heterojunction amorphous - monocrystalline silicon are presented and analyzed.
|
|
| Language |
ru
|
|
| Publisher |
ХНУРЭ
|
|
| Subject |
фотопреобразование
гетеро-переходы аморфный–монокристаллический кремний магнетронное распылениее |
|
| Title |
Модель токопереноса в гетероструктуре аморфный - монокристаллический кремний
|
|
| Type |
Article
|
|