Расчет спектральной зависимости края собственного поглощения полупроводниковых твердых растворов с прямой структурой энергетических зон
Електронного архіву Харківського національного університету радіоелектроніки (Open Access Repository of KHNURE)
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Creator |
Сологуб, О. Ю.
|
|
| Date |
2015-02-07T12:46:27Z
2015-02-07T12:46:27Z 2010 |
|
| Identifier |
Сологуб, О. Ю. Расчет спектральной зависимости края собственного поглощения полупроводниковых твердых растворов с прямой структурой энергетических зон / О. Ю. Сологуб //Функциональная компонентная база микро-, опто- и наноэлектроники : сб. науч. тр. ІІІ Междунар. науч. конф., 28 сент. – 2 окт. 2010 г. – Х. ; Кацивели : ХНУРЭ, 2010. – С. 353-354.
http://hdl.handle.net/123456789/1849 |
|
| Description |
In this work presented a model for the calculation the spectral dependence of the intrinsic absorption edge of semiconductor solid solutions with a direct energy band structure at the example of GaAs. It can be used in mathematical models that describe the work of photoelectric converters.
|
|
| Language |
ru
|
|
| Publisher |
ХНУРЭ
|
|
| Subject |
прямая структура энергетических зон
оптические спектры |
|
| Title |
Расчет спектральной зависимости края собственного поглощения полупроводниковых твердых растворов с прямой структурой энергетических зон
|
|
| Type |
Article
|
|