Фотогальванический эффект в кристаллах без центра инверсии при учете электрон-дырочного взаимодействия
Електронного архіву Харківського національного університету радіоелектроніки (Open Access Repository of KHNURE)
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Creator |
Чернышов, Н. Н.
|
|
| Date |
2015-06-23T11:44:22Z
2015-06-23T11:44:22Z 2014 |
|
| Identifier |
Чернышов, Н. Н. Фотогальванический эффект в кристаллах без центра инверсии при учете электрон-дырочного взаимодействия / Н. Н. Чернышов // Радиотехника : Всеукр. межвед. науч.-техн. сб. – Харьков, 2014. – Вып. 177. – С. 94 – 97.
http://hdl.handle.net/123456789/2290 |
|
| Description |
В работе рассмотрен вопрос о возникновении фотогальванического эффекта (ФГЭ) при примесь-зонном возбуждении электронов. Целью работы является исследование линейного ФГЭ при межзонных центральных переходах в полупроводнике. Показано, что основным механизмом, приводящим к ФГЭ, является электростатическое взаимодействие электрона и дырки. Рассмотрены явления переноса заряда в электрическом поле и решена задача переноса электрического заряда на основании квантового кинетического уравнения (ККУ) по нечетному интегралу столкновений. Рассмотрены квадратичные поправки к закону Ома. Для возникновения асимметрии при межзонных переходах учитывается взаимодействие с третьим телом. Это уменьшает величину ФГЭ. Однако существует еще одна возможность увеличения ФГЭ – учет взаимодействия между электроном и дыркой.
|
|
| Language |
ru
|
|
| Publisher |
ХНУРЭ
|
|
| Subject |
фотогальванический эффект
межзонные центральные переходы электростатическое взаимодействие |
|
| Title |
Фотогальванический эффект в кристаллах без центра инверсии при учете электрон-дырочного взаимодействия
|
|
| Type |
Article
|
|