Reliable Monitoring of Computer Memory
Журнал "Новітні комп'ютерні технології"
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Reliable Monitoring of Computer Memory
Мониторинг надежной работы памяти компьютера Моніторинг надійної роботи пам'яті комп'ютера |
|
| Creator |
Уткіна, Тетяна Юріївна
|
|
| Subject |
—
— — — |
|
| Description |
One of the most common methods to improve the reliability of storage devices is testing. The use of multiple versions of the diagnostic tests at different stages of the life cycle of the device allow you to perform timely preventive maintenance and keep high reliability of memory modules for the whole life of the memory modules.
В последнее время благодаря более усовершенствованным технологиям производства микросхем, а также новым технологиям защиты памяти увеличилась надежность компонент модулей оперативной памяти. Однако риск возникновения ошибок памяти для выполнения критически важных приложений и приложений с повышенными требованиями к оперативной памяти существует, поскольку модули памяти представляют собой обычные электронные запоминающие устройства. Такие ошибки могут привести к порче данных, безвозвратной их потере, сбоям в работе, что в свою очередь повлечет потерю прибыли из-за простоев системы [1; 2].Так или иначе, возникает проблема коррекции ошибок памяти для обеспечения надежного функционирования системы. Одним из наиболее распространенных методов повышения надежности запоминающих устройств является тестирование.Наиболее частым случаем являются отказы, происходящие в течение первых трех месяцев нормальной работы памяти. Со временем вероятность проявления отказов модуля памяти снижается до тех пор, пока запоминающее устройство не подвергнется старению, что впоследствии неминуемо приведет к неисправности последнего.Если пользователем установлена минимально допустимая вероятность работоспособного состояния запоминающего устройства, равная Rmin, тогда необходимо определить промежутки времени, по истечению которых необходимо выполнять профилактическое диагностирование модулей памяти.Надежность работы устройства во время эксплуатации вычисляется по формуле: где – коэффициент проявления отказов,x – кратность проявления отказов,– интенсивности проявления отказов;– число микросхем памяти в устройстве,n – число модулей памяти,c – число микросхем в модуле памяти;t – время профилактической замены модулей памяти.Период деградации надежности памяти – это промежуток времени, когда надежность модуля уменьшается до заданного пользователем минимального значения. Формула для расчета периода деградации следующая:Полупериод деградации – это промежуток времени равный половине периода деградации. Формула для расчета полупериода деградации следующая:При достижении надежности работы устройства значения Rmin наступает время деградации: R(t)=RminВведем переменную r, для обозначения номера полупериода деградации модуля памяти, тогда формула для расчетаr-ого полупериода деградации будет иметь вид:В период ранней эксплуатации модулей памяти на протяжении 3-х месяцев работы производится тестирование каждый раз при включении питания различными наборами тестов, с одинаковой эффективностью обнаружения отказов.Следующий этап тестирования начинается как раз при достижении временем эксплуатации значения полупериода деградации, затем и т.д. до наступления времени деградации. С увеличением номера полупериодов деградации рекомендуется выполнять более продолжительные и более эффективные тесты.Применение несколько версий диагностических тестов на различных этапах жизненного цикла устройства позволит выполнить своевременное профилактическое обслуживание и сохранить высокие показатели надежности модулей памяти в течение всего срока эксплуатации модулей памяти. Одним з найбільш поширених методів підвищення надійності запам'ятовуючих пристроїв є тестування.Застосування кілька версій діагностичних тестів на різних етапах життєвого циклу пристрою дозволить виконати своєчасне профілактичне обслуговування та зберегти високі показники надійності модулів пам'яті протягом всього терміну експлуатації модулів пам'яті. |
|
| Publisher |
State institution of higher education «Kryvyi Rih National University»
|
|
| Contributor |
—
— — |
|
| Date |
2013-11-10
|
|
| Type |
info:eu-repo/semantics/article
info:eu-repo/semantics/publishedVersion — — — |
|
| Format |
application/pdf
|
|
| Identifier |
http://ccjournals.eu/ojs/index.php/nocote/article/view/98
|
|
| Source |
New computer technology; Vol 5 (2007): Problems of training and retraining of IT specialists; 88-89
Новые компьютерные технологии; Vol 5 (2007): Problems of training and retraining of IT specialists; 88-89 Новітні комп'ютерні технології; Vol 5 (2007): Problems of training and retraining of IT specialists; 88-89 2309-1460 |
|
| Language |
rus
|
|
| Relation |
http://ccjournals.eu/ojs/index.php/nocote/article/view/98/91
|
|
| Rights |
Copyright (c) 2014 New computer technology
|
|