Отримання високоомних шарів GaAs, AlGaAs методом НТРФЕ
Електронний науковий архів Науково-технічної бібліотеки Національного університету "Львівська політехніка"
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Отримання високоомних шарів GaAs, AlGaAs методом НТРФЕ
|
|
| Creator |
Круковський, С. І.
Завербний, І. Р. |
|
| Description |
Досліджено електрофізичні властивості шарів GaAs та твердих розчинів AlxGa1-xAs, отриманих із галієвих розплавів методом низькотемпературної рідиннофазної епітаксії при температурах 630…580 °С. Показано, що подвійне легування галієвих розплавів ітербієм від 2⋅10-3 до 1,2⋅10-2 ат.% та алюмінієм більше 6,5⋅10-3 ат.% дозволяє отримати епітаксійні шари GaAs з питомим опором до 105 Ом⋅см. Тверді розчини Al0,05Ga0,95As кристалізовані із розплавів галію з концентрацією Yb 1,4⋅10-2 ат%, характеризуються найвищою рухливістю ≈3⋅104 см2/(В⋅с) (300 К).OBTAINING HIGH-RESISTANCE GaAs, AlGaAs LAYERS BY MEANS OF LAW-TEMPERATURE LIQUID-PHASE EPITAXY, by Krukovsky S.I., Zaverbny I.R., Е-mail: granat@carat.lviv.ua. Electrophysical properties are investigated of GaAs layers and AlxGa1-xAs solid solutions obtained from gallium melts by means of lawtemperature liquid-phase epitaxy at the temperatures of 630…580 °С. It was shown that double doping of the gallium melts by (2⋅10-3-1.2⋅10-2) at.% ytterbium and by 6.5⋅10-3 at.% aluminum allows obtaining GaAs epitaxial layers with resistivity up to 105 Ohm⋅cm. The highest mobility of ≈3⋅104 cm 2 /V⋅s (300 К) was observed in Al0,05Ga0,95As solid solutions crystallized from gallium melts with Yb concentration of 1,4⋅10-2 at.%. |
|
| Date |
2012-02-09T09:30:20Z
2012-02-09T09:30:20Z 2000 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Круковський С. І. Отримання високоомних шарів GaAs, AlGaAs методом НТРФЕ / С. І. Круковський, І. Р. Завербний // Вісник Національного університету "Львівська політехніка". – 2000. – № 397 : Електроніка. – С. 17–21. – Бібліографія: 8 назв.
http://ena.lp.edu.ua:8080/handle/ntb/11423 |
|
| Language |
ua
|
|
| Publisher |
Видавництво Державного університету "Львівська політехніка"
|
|