Технологія отримання мікрокристалів твердого розчину GaAs-InAs з парової фази
Електронний науковий архів Науково-технічної бібліотеки Національного університету "Львівська політехніка"
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Технологія отримання мікрокристалів твердого розчину GaAs-InAs з парової фази
Technology of obtaining GaAs-InAs solid solution microcrystals by chemical vapor deposition |
|
| Creator |
Стецко, Р. М.
|
|
| Subject |
пара-рідина-кристал
твердий розчин мікрокристали арсенід індію арсенід галію vapor-liquid-solid solid solution microcrystals indium arsenide gallium arsenide |
|
| Description |
Наведено результати вирощування мікрокристалів твердих розчинів GaxIn1-xAs за механізмом пара-рідина-кристал (ПРК-механізмом) методом хімічних транспортних реакцій в атмосфері хлористого водню. Отримано мікрокристали твердого розчину GaxIn1-xAs зі складом 0,30≤x≤0,41, який був визначений за допомогою рентгенівського мікроаналізу. Results of growing GaxIn1-xAs solid solution microcrystals by chemical vapor deposition in chloride system are represented. GaxIn1-xAs solid solution microcrystals with 0.30≤x≤0.41 composition, which was determined by X-ray microanalysis, were obtained. |
|
| Date |
2012-11-29T12:21:49Z
2012-11-29T12:21:49Z 2012 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Стецко Р. М. Технологія отримання мікрокристалів твердого розчину GaAs-InAs з парової фази / Р. М. Стецко // Вісник Національного університету "Львівська політехніка". – 2012. – № 734 : Електроніка. – С. 73–79. – Бібліографія: 14 назв.
http://ena.lp.edu.ua:8080/handle/ntb/16056 |
|
| Language |
ua
|
|
| Publisher |
Видавництво Львівської політехніки
|
|