Визначення температури інверсії типу провідності в епітаксійних шарах InAs, отриманих РФЕ з індієвих розплавів, легованих кремнієм
Електронний науковий архів Науково-технічної бібліотеки Національного університету "Львівська політехніка"
Переглянути архів ІнформаціяПоле | Співвідношення | |
Title |
Визначення температури інверсії типу провідності в епітаксійних шарах InAs, отриманих РФЕ з індієвих розплавів, легованих кремнієм
Determination of the inversion temperature of conductivity type in InAs epitaxial layers obtained from indium melts doped by silicon |
|
Creator |
Ваків, М. М.
Круковський, Р. С. |
|
Subject |
РФЕ
InAs епітаксія LPE epitaxy |
|
Description |
Досліджено залежність концентрації електронів та дірок в епітаксійних шарах InAs, отриманих із індієвих розплавів легованих кремнієм, в інервалі температур 880–820 °С та 780–630 °С. Встановлено, що у високотемпературному інтервалі кристалізуються епітаксійні шари InAs р- типу провідності, а в низькотемпературному n-типу провідності. Цей ефект пояснюється амфотерною поведінкою кремнію в шарах InAs. The dependence of concentration of electrons and holes in InAs epitaxial layers, obtained from indium melts dopped by silicon in the temperature range of 880–820 °C and 780–630 °C was investigated. It was found that in high-temperature range InAs epitaxial layers of p-type conductivity are intended to crystallize, and in low-temperature – of n-type conductivity. This effect is explained by amphoteric behavior of silicon in InAs layers.
|
|
Date |
2012-11-29T12:24:14Z
2012-11-29T12:24:14Z 2012 |
|
Type |
Article
|
|
Identifier |
Ваків М. М. Визначення температури інверсії типу провідності в епітаксійних шарах InAs, отриманих РФЕ з індієвих розплавів, легованих кремнієм / М. М. Ваків, Р. С. Круковський // Вісник Національного університету "Львівська політехніка". – 2012. – № 734 : Електроніка. – С. 80–84. – Бібліографія: 3 назви.
http://ena.lp.edu.ua:8080/handle/ntb/16057 |
|
Language |
ua
|
|
Publisher |
Видавництво Львівської політехніки
|
|