Створення і властивості фоточутливих гетероструктур N-CDS/P-CDTE
Електронний науковий архів Науково-технічної бібліотеки Національного університету "Львівська політехніка"
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Створення і властивості фоточутливих гетероструктур N-CDS/P-CDTE
|
|
| Creator |
Шаповал, П. Й.
Гумінілович, Р. Р. Ятчишин, Й. Й. Кусьнеж, В. В. Ільчук, Г. А. |
|
| Subject |
тонкі плівки CdS
хімічне поверхневе осадження тонкоплівкові гетеропереходи CdS thin films chemical surface deposition heterojunction |
|
| Description |
Розроблена технологія хімічного поверхневого осадження і отримано тонкі плівки CdS на підкладках p-CdTe. Вивчено склад та структуру отриманих покрить. Досліджено електричні та+ фотоелектричні властивості гетеропереходів n-СdS/p-CdTe. Показана можливість застосування методу хімічного поверхневого осадження для створення тонкоплівкових сонячних елементів на основі n-СdS/p-CdTe. This article shows how thin films n-CdS were deposited on p-CdTe substrates by the new chemical surface deposition method. The composition and crystallinity degree of obtained coatings were studied. The high value of n-CdS/p-CdTe heterojunction photoconversion was provided by using the new CdS deposition method. The possibility of n-CdS/p-CdTe thin film solar cell fabrication by chemical surface deposition method was demonstrated.
|
|
| Date |
2013-11-11T14:59:32Z
2013-11-11T14:59:32Z 2013 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Створення і властивості фоточутливих гетероструктур N-CDS/P-CDTE / П. Й. Шаповал, Р. Р. Гумінілович, Й. Й. Ятчишин, В. В. Кусьнеж, Г. А. Ільчук // Вісник Національного університету «Львівська політехніка». – 2013. – № 761 : Хімія, технологія речовин та їх застосування. – С. 40–44. – Бібліографія: 16 назв.
http://ena.lp.edu.ua:8080/handle/ntb/21810 |
|
| Language |
ua
|
|
| Format |
application/pdf
|
|
| Publisher |
Видавництво Львівської політехніки
|
|