Утворення кристалічних фаз на початкових етапах термічного оксидування твердого розчину Pb1-xSnxTe
Електронний науковий архів Науково-технічної бібліотеки Національного університету "Львівська політехніка"
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Утворення кристалічних фаз на початкових етапах термічного оксидування твердого розчину Pb1-xSnxTe
The formation of crystalline phases at the initialstages of thermal oxidation of solid solution Pb1-xSnxTe |
|
| Creator |
Фадєєв, С. В.
Берченко, М. М. |
|
| Subject |
IV-VI напівпровідникові сполуки
діаграми фазової рівноваги оксидування межа розділу власний діелектрик – напівпровідник рентгенівська дифракція IV-VI semiconductor compounds Equilibrium phase diagrams Oxidation Native dielectric–compound semiconductor interface X-ray diffraction |
|
| Description |
За допомогою методу фазових рівноваг побудовано діаграми фазових рівноваг оксидування твердого розчину Pb1-xSnxTe за кімнатної температури та температури 673 К. Оцінено хімічний склад границі розділу напівпровідник – власний оксид за цих температур. Методом рентгенівської дифракції досліджено динаміку процесу утворення кристалічних фаз на початкових етапах термічного оксидування твердого розчину. Встановлено, що основною сполукою, що утворюється на початкових етапах термічного оксидування Pb1-xSnxTe, є орторомбічний дилід трителурат – Pb2Te3O8 . To clarify the behaviour of thermally oxidized Pb1-xSnxTe the phase equilibrium diagram was calculated taking into account the change of the standard Gibbs energies of formation with the temperature up to 673 K.The X-ray diffractometry (XRD) studies of thermally oxidized Pb1-xSnxTe are summarised. It was established that the main compound formed at the initial stages of thermal oxidation Pb1-xSnxTe is the orthorhombic dilead tritellurate – Pb2Te3O8.
|
|
| Date |
2014-03-20T14:33:29Z
2014-03-20T14:33:29Z 2013 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Фадєєв С. В. Утворення кристалічних фаз на початкових етапах термічного оксидування твердого розчину Pb1-xSnxTe / С. В. Фадєєв, М. М. Берченко // Вісник Національного університету "Львівська політехніка". – 2013. – № 764 : Електроніка. – С. 69–73. – Бібліографія: 5 назв.
http://ena.lp.edu.ua:8080/handle/ntb/24026 |
|
| Language |
ua
|
|
| Publisher |
Видавництво Львівської політехніки
|
|