Механізми формування оберненого струму в фоточутливих структурах Au/CdTe:O
Електронний науковий архів Науково-технічної бібліотеки Національного університету "Львівська політехніка"
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Механізми формування оберненого струму в фоточутливих структурах Au/CdTe:O
Inverse current mechanisms in photosensitive Au/CdTe:O structures |
|
| Creator |
Герман, І. І.
Махній, В. П. Черних, О. І. |
|
| Subject |
Телурид кадмію
поверхнево-бар’єрний діод надбар’єрний і генераційно-рекомбінаційний струм тунелювання ударна іонізація cadmium telluride surface-barrier diode generation-recombination current tunneling impact ionization |
|
| Description |
Проаналізовано основні механізми формування оберненого струму в поверхнево-бар’єрних діодах на основі підкладинок n-CdTe. Встановлено, що експериментальні вольтамперні характеристики при низьких обернених напругах визначаються тунельними процесами, а при великих – помноженням носіїв у результаті ударної іонізації. Analysis of the main mechanisms of inverse current in the surface-barrier diodes based on n-CdTе is carried out. Established that the experimental current-voltage characteristics at low inverse voltages are determined tunnel processes and at high inverse voltages – the sharp increase of carriers as a result of impact ionization.
|
|
| Date |
2014-03-20T14:31:27Z
2014-03-20T14:31:27Z 2013 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Герман І. І. Механізми формування оберненого струму в фоточутливих структурах Au/CdTe:O / І. І. Герман, В. П. Махній, О. І. Черних // Вісник Національного університету "Львівська політехніка". – 2013. – № 764 : Електроніка. – С. 88–91. – Бібліографія: 8 назв.
http://ena.lp.edu.ua:8080/handle/ntb/24025 |
|
| Language |
ua
|
|
| Publisher |
Видавництво Львівської політехніки
|
|