Вплив надстехіометричних компонент на електричні та люмінесцентні властивості шарів ZnSe:Mn
Електронний науковий архів Науково-технічної бібліотеки Національного університету "Львівська політехніка"
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Вплив надстехіометричних компонент на електричні та люмінесцентні властивості шарів ZnSe:Mn
The influence of over stoichiometry component on electrical and luminescence properties of layers ZnSe:Mn |
|
| Creator |
Кінзерська, О. В.
Махній, В. П. Погребенник, В. Д. Пашук, А. В. |
|
| Subject |
селенід цинку
дифузія перехідний метал провідність люмінесценція zinc selenide diffusion transition metal conductivity luminescence |
|
| Description |
Досліджено вплив відпалів у насиченій парі Zn і Se на електропровідність і люмінесцентні характеристики дифузійних шарів ZnSe з домішкою Mn. Показано, що надлишковий Zn спричиняє збільшення електронної провідності та інтенсивності крайової смуги випромінювання, а надлишковий Se призводить до інверсії типу провідності і практично повного гасіння крайової смуги. The effect of annealing in saturated pair of Zn and Se on electrical and luminescent properties of diffusion layers ZnSe doped by Mn is studed. It is shown that Zn excess causes an increasing in electronic conductivity and intensity of edge emission band but Se excess leads to the inversion of the conductivity type and almost complete extinction of the edge band.
|
|
| Date |
2014-03-20T09:36:33Z
2014-03-20T09:36:33Z 2013 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Вплив надстехіометричних компонент на електричні та люмінесцентні властивостішарів ZnSe:Mn / О. В. Кінзерська, В. П. Махній, В. Д. Погребенник, А. В. Пашук // Вісник Національного університету "Львівська політехніка". – 2013. – № 764 : Електроніка. – С. 95–97. – Бібліографія: 9 назв.
http://ena.lp.edu.ua:8080/handle/ntb/24003 |
|
| Language |
ua
|
|
| Publisher |
Видавництво Львівської політехніки
|
|