Запис Детальніше

Oсобливості впливу магнію на електрофізичні властивості шарів арсеніду індію, отримуваних методом РФЕ

Електронний науковий архів Науково-технічної бібліотеки Національного університету "Львівська політехніка"

Переглянути архів Інформація
 
 
Поле Співвідношення
 
Title Oсобливості впливу магнію на електрофізичні властивості шарів арсеніду індію, отримуваних методом РФЕ
Peculiarities of magnesium influence on electrophysical properties of indium arsenide layers obtained by LPE method
 
Creator Ваків, М. М.
Круковський, Р. С.
 
Subject арсенід індію
вісмут
структурні дефекти
легуюча домішка
indium arsenide
bismuth
structural defects
dopant
 
Description Досліджено залежність концентрації та рухливості носіїв заряду в епітаксійних шарах InAs, отриманих із індієвих та вісмутових розплавів, легованих магнієм, в інтервалі температур 670–550 °С. Встановлено, що при концентраціяхMg 0,07–0,12 ат% в розплавах вісмуту кристалізуються шари InAs n-типу провідності, а їх рухливість зростає від 70000 до 92000 см2/В·с. При концентраціях Mg ≈ 1,1 ат % в індієвих та при 0,56 ат % у вісмутових розплавах кристалізуються шари р-InAs. Concentration and mobility dependence of charge carriers in InAs epitaxial layers obtained from indium and bismuth melts doped by magnesium at 670-550 ° C temperature range has been studied. It was found that in bismuth melts at Mg concentrations 0,07-0,12 at% InAs layers with n-type conductivity are crystallized and their mobility increases from 70000 to 92000 cm2/V·s. Layers p -InAs are crystallized at Mg concentrations ≈ 1,1 at% in indium melts and at 0.56 at% in bismuth melts.
 
Date 2014-03-20T14:29:11Z
2014-03-20T14:29:11Z
2013
 
Type Article
 
Identifier Ваків М. М. Oсобливості впливу магнію на електрофізичні властивості шарів арсеніду індію, отримуваних методом РФЕ / М. М. Ваків, Р. С. Круковський // Вісник Національного університету "Львівська політехніка". – 2013. – № 764 : Електроніка. – С. 98–101. – Бібліографія: 7 назв.
http://ena.lp.edu.ua:8080/handle/ntb/24024
 
Language ua
 
Publisher Видавництво Львівської політехніки