Отримання слабколегованих кремнієм товстих шарів I-GaAs методом рідинно-фазної епітаксії
Електронний науковий архів Науково-технічної бібліотеки Національного університету "Львівська політехніка"
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Отримання слабколегованих кремнієм товстих шарів I-GaAs методом рідинно-фазної епітаксії
Obtaining of weakly doped with silica thick I-GaAs layers by liquid-phase epitaxy method |
|
| Creator |
Ваків, М. М.
Круковський, С. І. Тимчишин, В. Р. |
|
| Subject |
легуввання
рідиннофазна епітаксія дисилан слабколеговані шари alloying liquid phase epitaxy disilane weakly doped layers |
|
| Description |
Досліджено технологічні аспекти отримання i-GaAs шарів, легованих кремнієм, методом РФЕ із застосуванням дисилану як джерела легуючої домішки. Встановлено, що використання дисилану дозволяє кристалізувати епітаксійні p-i-n структури GaAs з шириною і-області з майже у два рази більшою товщиною, ніж при використанні технології «вологого водню». Technological aspects of obtaining of i-GaAs layers doped with Si by LPE method using disilane as alloying dismixture are investigated. It was determined that application of disilane leads to crystallization of epitaxial p-i-n structure of GaAs with width of i-region of two times lager thickness than in the case of the “damp hydrogen” technology usage.
|
|
| Date |
2014-03-20T13:04:48Z
2014-03-20T13:04:48Z 2013 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Ваків М. М. Отримання слабколегованих кремнієм товстих шарів I-GaAs методом рідинно-фазної епітаксії / М. М. Ваків, С. І. Круковський, В. Р. Тимчишин// Вісник Національного університету "Львівська політехніка". – 2013. – № 764 : Електроніка. – С. 102–106. – Бібліографія: 7 назв.
http://ena.lp.edu.ua:8080/handle/ntb/24010 |
|
| Language |
ua
|
|
| Publisher |
Видавництво Львівської політехніки
|
|