Првідність легованих ниткоподібних критсалів твердого розчину Si-Ge
Електронний науковий архів Науково-технічної бібліотеки Національного університету "Львівська політехніка"
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Првідність легованих ниткоподібних критсалів твердого розчину Si-Ge
|
|
| Creator |
Буджак, Я. С.
Дружинін, А. О. Островський, І. П. Когут, Ю. Р. |
|
| Description |
Досліджено залежності провідності ниткоподібних кристалів твердого розчину SiGe <В, Pt> від температури (4,2-250К). На основі врахування механізмів розсіювання носіїв заряду у кристалах визначена енергія активації та концентрації легуючих домішок. The conductance dependencies for Si-Ge solid solution whiskers on temperature (4,2-250K) were studied. Accounting mechanisms of charge carrier scattering in the crystals the impurity activation energy and doping concentrations were evaluated. |
|
| Date |
2015-12-17T10:28:54Z
2015-12-17T10:28:54Z 2006 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Првідність легованих ниткоподібних критсалів твердого розчину Si-Ge / Я. С. Буджак, А. О. Дружинін, І. П. Островський, Ю. Р. Когут // Вісник Національного університету «Львівська політехніка». – 2006. – № 569 : Елементи теорії та прилади твердотілої електроніки. – С. 133–137. – Бібліографія: 6 назв.
http://ena.lp.edu.ua:8080/handle/ntb/30558 |
|
| Language |
ua
|
|
| Publisher |
Видавництво Національного університету "Львівська політехніка"
|
|