Часова стабільність CdXHg1-XTe p-n структур, сформованих іонно-променевим травленням
Електронний науковий архів Науково-технічної бібліотеки Національного університету "Львівська політехніка"
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Часова стабільність CdXHg1-XTe p-n структур, сформованих іонно-променевим травленням
Time stability of cdxHg1-xTe p-n structures created by ion beam milling |
|
| Creator |
Богобоящий, В. І.
Іжнін, І. П. Савицький, Г. В. Юденков, В. О. |
|
| Description |
Досліджено довгочасові (10 років) та короткочасові (4 місяців) релаксації електрофізичних параметрів p-n структур, створених іонно-променевим травленням (ІПТ) на вакансійно-легованих епітаксійних плівках p-CdXHg1-XTe, при зберіганні їх при кімнатній температурі. Виявлено різний характер релаксації електричних параметрів створених ІПТ порушеного шару та основного конвертованого n-шару.Релаксація параметрів порушеного шару пов'язується з самовідпалом радіаційних структурних дефектів,створених під час іонного бомбардування. Релаксація властивостей основного об'єму конвертованого шару пов'язана з наявністю в досліджених зразках неконтрольованих акцепторних домішок I, V гупи, тобто з розпадом створених в процесі ІПТ донорних дефектів, пов'язаних з такими домішками. Показано,що переважно релаксація параметрів відбувається протягом перших 4-5 місяців, після чого параметри структур стабілізуються і зберігаються упродовж 10 років. The long (10 years) and the short time (4 months) relaxation of p-n structures electrical parameters by ion beam (IBM) in vacancy-doped epitaxial films p-CdXHg1-XTe were investigated. It was revealed the different character of relaxation of the electrical parameters created by IBM of damaged layer and of n-layer main volume. The relaxation of parameters of damage layer is due to self-annealing of structural defects created durig ion bombardment. The relaxation of parameters of converting layer's main volume is due to presents in the samples residual acceptor dopants of the I, V groups so with dissociation of donor defects associated with this dopants and created during IBM. It was shown that parameters relaxation mainly occur at the first 4-5 month, afther that parameters of the structures become stabilize.
|
|
| Date |
2015-12-23T10:08:01Z
2015-12-23T10:08:01Z 2015-12-22 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Богобоящий В. І. Часова стабільність CdXHg1-XTe p-n структур, сформованих іонно-променевим травленням / В. В. Богобоящий, І. І. Іжнін, Г. В. Савицький, В. О. Юденков // Вісник Національного університету «Львівська політехніка». – 2003. – № 482 : Електроніка. – С. 119–125. – Бібліографія: 14 назв.
http://ena.lp.edu.ua:8080/handle/ntb/30867 |
|
| Language |
ua
|
|
| Publisher |
Видавництво Львівської політехніки
|
|