Формування потенціального профілю в матриці GaAs квантовими точками InAs
Електронний науковий архів Науково-технічної бібліотеки Національного університету "Львівська політехніка"
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Формування потенціального профілю в матриці GaAs квантовими точками InAs
Formation of a potntial structure in a matrix GaAs with quantum points InAs |
|
| Creator |
Даньків, О. О.
Пелещак, Р. М. Пелещак, Б. М. |
|
| Description |
Побудована модель когрентно-напруженої квантової точки. Розраховано вплив неоднорідної деформації, яка є на межі розділення квантової точки і гетероепітаксійного шару, та розмірів КТ на глибину і профіль потенціальної ями для електронів і дірок у гетеросистемі з квантовими точками.The model of a coherent-strained quantum point is constructed. Influence of nonuniform deformation, which is on border of the unit of a quantum point and heteroepitaxial layer, and the sizes of a quantum point on depth and a structure of a potential hole forelectrons and holes at heterostructure with quantum points, is designed.
|
|
| Date |
2015-12-23T11:40:40Z
2015-12-23T11:40:40Z 2015-12-22 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Даньків О. О. Формування потенціального профілю в матриці GaAs квантовими точками InAs / О. О. Даньків, Р. М. Пелещак, Б. М. Пелещак // Вісник Національного університету «Львівська політехніка». – 2003. – № 482 : Електроніка. – С. 126–134. – Бібліографія: 16 назв.
http://ena.lp.edu.ua:8080/handle/ntb/30901 |
|
| Language |
ua
|
|