Зміна заповнення електронних станів вздовж осі надгратки GaAs-Si (δ), зумовлена неузгодженістю параметрів
Електронний науковий архів Науково-технічної бібліотеки Національного університету "Львівська політехніка"
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Зміна заповнення електронних станів вздовж осі надгратки GaAs-Si (δ), зумовлена неузгодженістю параметрів
Change of electronic states filling along superlattice axes GaAs-Si (δ) caused by mismatch of a lattice parameters |
|
| Creator |
Пелещак, Р.М.
Рудницький, С.В. |
|
| Description |
Розраховано зміни концентрації електронів у напрямку осі гетероструктури GaAs-Si (δ). Встановлено, що в центрі δ-шару створюється область збіднення і натомість на гетеромежі спостерігається підвищення концентрації електронів.Досліджено залежність зміни концентрації від параметра надгратки.Change of a charge concentration in heterostructure GaAs-Si (δ) are investigated.It established, that the center of a δ-layer is area of poverty and on heteroborders there is a surplus of concentration of charges. The influence of parameters superlattice on concentration distribution is a analyzed.
|
|
| Date |
2015-12-23T13:23:30Z
2015-12-23T13:23:30Z 2015 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Пелещак Р. М. Зміна заповнення електронних станів вздовж осі надгратки GaAs-Si (δ), зумовлена неузгодженістю параметрів / Р. М. Пелещак, С. В. Рудницький // Вісник Національного університету «Львівська політехніка». – 2003. – № 482 : Електроніка. – С. 141–147. – Бібліографія: 10 назв.
http://ena.lp.edu.ua:8080/handle/ntb/30919 |
|
| Language |
ua
|
|
| Publisher |
Видавництво Львівської політехніки
|
|