Моделювання перехідних процесів у джозефсонівських елементах пам'яті з використанням реальних вах тунельних переходів
Електронний науковий архів Науково-технічної бібліотеки Національного університету "Львівська політехніка"
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Моделювання перехідних процесів у джозефсонівських елементах пам'яті з використанням реальних вах тунельних переходів
Mathematic modeling of transition process in josephson memory cells using real I-v characteristics of tunnelsng junctions |
|
| Creator |
Тиханський, М.В.
Шуригін, Ф.М. Тиханська, К.М. |
|
| Description |
Використовуючи еквівалентну схему джозефсонівських тунельних переходів(ДТП) та їх вольт-амперні характеристики для температур,відмінних від абсолютного нуля, які були апроксимовані простими аналітичними функціями,проведено математичне моделювання перехідних процесів у джозефсонівських кріотронах (ДК).Досліджувались перехідні характеристики ДК та їх особливості при керуванні логічним станом кріотронів за допомогою зовнішніх імпульсів струму ідеальної прямокутної форми. Проведено моделювання логічних переходів "0" → "1" та "1" → "0" . Показано,що джозефсонівські кріотрони можна використовувати як надшвидкодіючі елементи пам'яті з часом комутації 10 — 40 пс. Досліджено вплив параметрів схеми на стабільність роботи таких кріоелектронних структур. Mathematic modeling of transition processes in josephson cryotrons (JC) is carried out by using an equivalent scheme of josephson tunneling junctions and their I-V characteristic for the temperatures above 0 K,which are made approximate simple analytical functions. The transition characteristics of JC and their peculiarities when controlling the cryotron logical state by ideal rectangular-shaped outer current impulses are investigated. Modeling of logical transitions "0" → "1" and"1" → "0" is carried out. It is showb that JC can be used as extraquick memory cells with the commutation time 10 -40 ps.The influence of scheme parameters on stability of the functioning of such cryoelectronic structures is investigated. |
|
| Date |
2015-12-23T13:51:11Z
2015-12-23T13:51:11Z 2015 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Тиханський М. В. Моделювання перехідних процесів у джозефсонівських елементах пам'яті з використанням реальних вах тунельних переходів / М. В. Тиханський, Ф. М. Шуригін, К. М. Тиханська // Вісник Національного університету «Львівська політехніка». – 2003. – № 482 : Електроніка. – С. 152–160. – Бібліографія: 11 назв.
http://ena.lp.edu.ua:8080/handle/ntb/30924 |
|
| Language |
ua
|
|
| Publisher |
Видавництво Львівської політехніки
|
|