Запис Детальніше

Ударна обробка структур Hg1-xCdxTe/CdTe

Електронний науковий архів Науково-технічної бібліотеки Національного університету "Львівська політехніка"

Переглянути архів Інформація
 
 
Поле Співвідношення
 
Title Ударна обробка структур Hg1-xCdxTe/CdTe
Shock wave treatment of Hg1-xCdx Te/CdTe structures
 
Creator Яковина, В. С.
Берченко, М. М.
Ільчук, Г. А.
Українець, Н. А.
 
Description На прикладі структури Hg1-xCdx Te/CdTe розглянуто результати досліджень впливу лазерних ударних хвиль на вузькощілинні напівпровідники за наявності великої кількості макронеоднорідностей, а також на границю розділення епітаксійний шар- підкладка. Встановлено, що ударна обробка є ефективним засобом зменшення відносного об'єму виділень іншої фази в напівпровідниках, а сама методика є перспективною в сенсі створення технологічного методу низькотемпературної модифікації параметрів напівпровідникових приладних структур. On the example of Hg1-xCdx Te/CdTe structure the result of study laser shock wave affect on the narrow-gap semiconductors with hight density of inhomogeneties as well as on epitaxial layer substrate interface are presented. It is found that shock wave treatment is an effective way to reduse the relative volume precipitates in semiconductors. While the technique is very promising for developing a low-temperature tool for modification device structures parameters.
 
Date 2015-12-24T08:31:40Z
2015-12-24T08:31:40Z
2003
 
Type Article
 
Identifier Яковина В. С. Ударна обробка структуриHg1-xCdx Te/CdTe / В. С. Яковина, М. М. Берченко, Г. А. Ільчук, Н. А. Українець // Вісник Національного університету «Львівська політехніка». – 2003. – № 482 : Електроніка. – С. 80–85. – Бібліографія: 15 назв.
http://ena.lp.edu.ua:8080/handle/ntb/30935
 
Language ua
 
Publisher Вісник Національного університету "Львівська політехніка"