Влияние дефектов на радиационно-индуцированные процессы в сцинтилляционных кристаллах вольфрамата кадмия
Vernadsky National Library of Ukraine
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Влияние дефектов на радиационно-индуцированные процессы в сцинтилляционных кристаллах вольфрамата кадмия
|
|
| Creator |
Тупицына, И.А.
Гринев, Б.В. Нагорная, Л.Л. |
|
| Subject |
Физика радиационных повреждений и явлений в твердых телах
|
|
| Description |
Исследуется влияние гамма-облучения на сцинтилляционные характеристики монокристаллов CdWO₄(CWO) с различной дефектностью. Дорадиационная дефектная структура определяет радиационные изменения кристаллов CWO. Показано, что радиационные дефекты в кристаллах CWO связаны с образованием F-центров. При дозах >10³ Гр у некоторых образцов CWO наблюдается радиационное разрушение дефектов, ответственных за НП. Введение Li в кристалл CWO приводит к уменьшению дефектов, ответственных за центры окраски и захвата. Отжиг кристаллов CWO в восстановительной среде (Н₂) или легирование Ме³⁺ существенно увеличивают их радиационную стабильность. Досліджується вплив γ-опромінювання на сцинтиляційні характеристики монокристалів CdWO₄(CWO) з різною дефектністю. Дорадіаційна дефектна структура обумовлює радіаційні зміни кристалів CWO. Показано, що радіаційні дефекти в кристалах CWO пов'язані з утворенням F центрів. При дозах >10³ Гр у деяких зразків CWO спостерігається радіаційне руйнування дефектів, які відповідають за НП. Введення Li в кристал CWO приводить до зменшення дефектів, відповідальних за центри забарвлення і захоплення. Відпал кристалів CWO у відновному середовищі (Н₂) або легування Ме³⁺ істотно збільшують їх радіаційну стабільність. Influence of γ-irradiation on scintillation characteristics of CdWO₄(CWO) single crystals with various defects are investigated in this work. The defect structure before irradiation determines radiation changes of CWO crystals. Radiation effects in CWO crystals were shown to be related to the formation of F-centers. At doses >10³ Gy radiation destruction of the defects responsible for IA is observed in some CWO samples. Doping of CWO with Li crystal leads to decrease of defects which are responsible for color and trapping center. Annealing in a reductive medium (H₂) or doped with Me³⁺ essentially increase their radiating stability. |
|
| Date |
2016-03-15T15:43:22Z
2016-03-15T15:43:22Z 2009 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Влияние дефектов на радиационно-индуцированные процессы в сцинтилляционных кристаллах вольфрамата кадмия / И.А. Тупицына, Б.В. Гринев, Л.Л. Нагорная // Вопросы атомной науки и техники. — 2009. — № 4. — С. 145-149. — Бібліогр.: 11 назв. — рос.
1562-6016 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/96354 539.1.074:535.243.2 |
|
| Language |
ru
|
|
| Relation |
Вопросы атомной науки и техники
|
|
| Publisher |
Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
|
|