Structural transformation in C/Si multilayer after annealing
Цифровой репозитарии Национального технического университета "Харьковский политехнический институт" (eNTUKhPIIR)
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Structural transformation in C/Si multilayer after annealing
|
|
| Creator |
Zhuravel, I. O.
Bugayev, Ye. A. Konotopsky, L. E. Zubarev, E. M. Sevryukova, V. A. Kondratenko, V. V. |
|
| Subject |
multilayer
diffusion nanocrystals intermixing layers extreme ultra violet многослойная композиция диффузия нанокристаллы перемешанные зоны вакуумный ультрафиолет |
|
| Description |
Amorphous C/Si multilayers were prepared by DC magnetron sputtering technique and investigated by transmission electron microscopy and low-angle x-ray diffraction methods after annealing at 650 and 950 °C. The amorphous interlayers of 0.5 − 0.6 nm thick were found at C/Si and Si/C interfaces being of different density and composition. Amorphous structure of the multilayer is stable up to 950 °C when crystallization of α-SiC occurs and voids form in α-Si layer.
Изготовленные методом прямоточного магнетронного распыления аморфные многослойные композиции C/Si были исследованы методами просвечивающей электронной микроскопии и малоугловой рентгеновской дифракции после отжигов при температуре 650 и 950 °C. На границах раздела C/Si и Si/C обнаружены аморфные перемешанные зоны толщиной 0.5 – 0.6 нм c различными плотностью и составом. Аморфная структура многослойной композиции стабильна вплоть до 950 °C, когда наблюдается формирование пор в слоях α-Si и кристаллизация α-SiC |
|
| Date |
2014-03-13T14:33:22Z
2014-03-13T14:33:22Z 2012 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Structural transformation in C/Si multilayer after annealing / I. O. Zhuravel [et al.] // Physical surface engineering. – 2012. – Vol. 10, № 3. – p. 314-318.
http://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/4756 |
|
| Language |
en
|
|
| Publisher |
Научный центр физических технологий МОН Украины; НАН Украины
|
|