Обоснование оптимального браковочного уровня tgδ для тарельчатых фарфоровых изоляторов
Цифровой репозитарии Национального технического университета "Харьковский политехнический институт" (eNTUKhPIIR)
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Обоснование оптимального браковочного уровня tgδ для тарельчатых фарфоровых изоляторов
|
|
| Creator |
Ким, Ен Дар
Таран, В. Н. |
|
| Subject |
корреляционная зависимость
дефект эксплуатация алгоритм оценки |
|
| Description |
Показана корреляционная зависимость между уровнем дефектных изоляторов в эксплуатации и распределением величины tgδ изоляторов. Представлены критерии определения оптимального уровня tgδ для браковки дефектных изоляторов. Приведен алгоритм оценки состояния изоляторов в эксплуатации.
Has been shown correlation between failure insulators’ layer and quantity of tgδ for insulators distribution. Have been reducted tgδ optimal layer criteria for failure insulators rejection. Has been given assessment algorithm for insulators’ state during the usage. |
|
| Date |
2014-12-10T09:00:36Z
2014-12-10T09:00:36Z 2011 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Ким Ен Дар Обоснование оптимального браковочного уровня tgδ для тарельчатых фарфоровых изоляторов / Ким Ен Дар, В. Н. Таран // Вестник Нац. техн. ун-та "ХПИ" : сб. науч. тр. Темат. вып. : Энергетика: надёжность и энергоэффективность. – Харьков : НТУ "ХПИ". – 2011. – № 3. – С. 77-82.
http://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/10741 |
|
| Language |
ru
|
|
| Publisher |
НТУ "ХПИ"
|
|