Определение толщины активной области Si-PIN детектора по зависимости интенсивности аналитических линий однокомпонентных эталонов от длины волны
Цифровой репозитарии Национального технического университета "Харьковский политехнический институт" (eNTUKhPIIR)
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Определение толщины активной области Si-PIN детектора по зависимости интенсивности аналитических линий однокомпонентных эталонов от длины волны
|
|
| Creator |
Мамалуй, Андрей Александрович
Фомина, Лариса Петровна Михайлов, Антон Игоревич |
|
| Subject |
рентгеновское флуоресцентное излучение
аналитические линии детектор вторичный излучатель X-ray fluorescent radiation analytical lines detector secondary radiator |
|
| Description |
Предложена простая процедура определения толщины активной области детектора, при которой в качестве известных потоков используются потоки аналитических линий флуоресцентного излучения однокомпонентных образцов при их возбуждении монохроматическим излучением вторичного излучателя. Совмещение экспериментальной и расчетной кривых зависимости интенсивности аналитических линий от длины волны позволяет определить толщину активной области d = 170 мкм. с точностью 10 мкм.
The simple procedure of the detector active zone thickness determination is proposed, in which the fluxes of fluorescent radiation analytical lines from single-component samples excited by monochromatic radiation of a secondary radiator are used as the known fluxes. The superposition of experimental and calculated curves of the analytical line intensity versus the wavelength allows determination of the active zone thickness d = 170 мm with an accuracy of 10 мm. |
|
| Date |
2015-06-12T08:27:35Z
2015-06-12T08:27:35Z 2010 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Мамалуй А. А. Определение толщины активной области Si-PIN детектора по зависимости интенсивности аналитических линий однокомпонентных эталонов от длины волны / А. А. Мамалуй, Л. П. Фомина, А. И. Михайлов // Журнал нано- и электронной физики = Journal of Nano- and Electronic Physics. – 2010. – Т. 2, № 4. – С. 115-118.
http://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/15323 |
|
| Language |
ru
|
|
| Publisher |
Сумский государственный университет
|
|