Исследование процесcов травления кристаллов высокоомного CdZnTe в йодсодержащих растворах
Цифровой репозитарии Национального технического университета "Харьковский политехнический институт" (eNTUKhPIIR)
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Исследование процесcов травления кристаллов высокоомного CdZnTe в йодсодержащих растворах
|
|
| Creator |
Богдан, Е. А.
Пироженко, Л. А. Наконечный, Д. В. Веревкин, А. А. Полянский, Н. Е. |
|
| Subject |
полупроводниковые соединения
высококачественные детекторы химическое травление полирование диапазоны концентраций йода |
|
| Description |
Детекторы γ-излучения на основе CdTe проходят ряд предварительных операций, одна из которых химическое травление и полирование. В работе исследован процесс химического травления кри-сталлов СdZnTe в растворах І2-ДМФА. Установлена зависимость скорости травления от концентрации йода. Определены диапазоны концентраций йода для полирующего и селективного травления. CdTe gamma-ray detectors pass trough a sequence of preliminary operations, one of them is chemical etching and polishing. The chemical etching process of CdZnTe crystal in iodine-dimethylformamide solution was studied in this work. The dependence of etching speed from iodine concentration was determined. The ranges of iodine concentrations for polishing and selective etching were defined. |
|
| Date |
2015-07-07T07:17:24Z
2015-07-07T07:17:24Z 2011 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Исследование процесcов травления кристаллов высокоомного CdZnTe в йодсодержащих растворах / Е. А. Богдан [и др.] // Вестник Нац. техн. ун-та "ХПИ" : сб. науч. тр. Темат. вып. : Химия, химическая технология и экология. – Харьков : НТУ "ХПИ". – 2011. – № 65. – С. 98-103.
http://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/15820 |
|
| Language |
ru
|
|
| Publisher |
НТУ "ХПИ"
|
|