Моделирование матрично-активированного переноса энергии к примесным центрам в технологии модификации материалов электронными возбуждениями
Цифровой репозитарии Национального технического университета "Харьковский политехнический институт" (eNTUKhPIIR)
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Моделирование матрично-активированного переноса энергии к примесным центрам в технологии модификации материалов электронными возбуждениями
|
|
| Creator |
Огурцов, Александр Николаевич
Близнюк, Ольга Николаевна Масалитина, Наталья Юрьевна |
|
| Subject |
радиационные технологии
лазерная десорбция инертные элементы молекулы |
|
| Description |
На простих модельних системах двоатомних гомо- (N2) та гетероатомних (CO) домішкових молекул досліджені процеси матрично-активованого переносу енергії до матрично-ізольованих центрів в атомарних кріокристалах криптону та аргону. Визначені діапазони найбільш ефективного фотозбудження домішкових молекул електронними збудженнями матриці.
On the simple model systems of diatomic homo- (N2) and heteroatomic (CO) impurity molecules the processes of matrix-assisted energy transfer to matrix-isolated centers in krypton and argon cryocrystals were studied. The energy ranges of most efficient photoexcitation of impurity molecules by electronic excitations of matrix were determined. |
|
| Date |
2015-08-04T10:58:57Z
2015-08-04T10:58:57Z 2013 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Огурцов А. Н. Моделирование матрично-активированного переноса энергии к примесным центрам в технологии модификации материалов электронными возбуждениями / А. Н. Огурцов, О. Н. Близнюк, Н. Ю. Масалитина // Интегрированные технологии и энергосбережение. – 2013. – № 1. – С. 54-59.
http://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/16131 |
|
| Language |
ru
|
|
| Publisher |
НТУ "ХПИ"
|
|