Механизм увеличения времени жизни неравновесных носителей заряда в кристаллах кремния
Цифровой репозитарии Национального технического университета "Харьковский политехнический институт" (eNTUKhPIIR)
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Механизм увеличения времени жизни неравновесных носителей заряда в кристаллах кремния
|
|
| Creator |
Червоный, И. Ф.
Строителева, Н. И. Егоров, С. Г. Воляр, Р. М. |
|
| Subject |
выращивание
метод Чохральского примесь исходное сырье солнечные элементы трихлорсилан crystal growth method Chohralsky impurity |
|
| Description |
Рассмотрен механизм повышения времени жизни неравновесных носителей заряди в монокристаллах кремния при использовании исходного сырья с повышенным содержанием примесей. The mechanism of increase of the non-equilibrium charge carrier lifetime in silicon monocrystals at use of initial raw materials with the increased content of impurity is considered. |
|
| Date |
2015-10-15T07:23:30Z
2015-10-15T07:23:30Z 2011 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Механизм увеличения времени жизни неравновесных носителей заряда в кристаллах кремния / И. Ф. Червоный [и др.] // Вестник Нац. техн. ун-та "ХПИ" : сб. науч. тр. Темат. вып. : Новые решения в современных технологиях. – Харьков : НТУ "ХПИ". – 2011. – № 54. – С. 126-130.
http://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/17428 |
|
| Language |
ru
|
|
| Publisher |
НТУ "ХПИ"
|
|