Оптимизация параметра состава Х по выходным характеристикам фотопреобразователей структурой AlхGa1-хAs-InхGa1-хAs-GaAs
Цифровой репозитарии Национального технического университета "Харьковский политехнический институт" (eNTUKhPIIR)
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Оптимизация параметра состава Х по выходным характеристикам фотопреобразователей структурой AlхGa1-хAs-InхGa1-хAs-GaAs
|
|
| Creator |
Слипченко, Н. И.
Письменецкий, В. А. Фролов, А. В. Лукьяненко, В. Л. Гуртовой, М. Ю. |
|
| Subject |
тандемные гетероструктуры
оптимальный ток солнечное излучение коэффициент поглощения tandem heterostructure photoconverters optimum current |
|
| Description |
Предложены аппроксимационные модели основных электрофизических параметров тройных соединений AlхGa1-хAs и InхGa1-хAs при вариации параметра состава х. Исследовано влияние на выходные характеристики параметра состава х, определены его оптимальные значения и соответственно максимальный КПД тандемной гетероструктуры. The approximating models of basic electrophysical parameters of triple compaunds AlхGa1-хAs and InхGa1-хAs at a composition parameter x variation are proposed. The influence of composition parameter x on output characteristics has been investigated, its optimum values and accordingly the maximum efficiency of tandem heterostructure are defined. |
|
| Date |
2015-10-16T09:46:51Z
2015-10-16T09:46:51Z 2011 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Оптимизация параметра состава Х по выходным характеристикам фотопреобразователей структурой AlхGa1-хAs-InхGa1-хAs-GaAs / Н. И. Слипченко [и др.] // Вестник Нац. техн. ун-та "ХПИ" : сб. науч. тр. Темат. вып. : Новые решения в современных технологиях. – Харьков : НТУ "ХПИ". – 2011. – № 54. – С. 144-152.
http://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/17493 |
|
| Language |
ru
|
|
| Publisher |
НТУ "ХПИ"
|
|