Физико-химические основы процесса получения диоксида кремния из рисовой шелухи
Цифровой репозитарии Национального технического университета "Харьковский политехнический институт" (eNTUKhPIIR)
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Физико-химические основы процесса получения диоксида кремния из рисовой шелухи
|
|
| Creator |
Гриднева, Т. В.
Сорока, П. И. Тертышный, О. А. |
|
| Subject |
РШ
пьезоэлектрические свойства пищевая промышленность пищевая добавка частицы термическая обработка |
|
| Description |
Встановлені технологічні параметри процесу та розроблені способи одержання силіцій (ІV) оксиду з рисового лушпиння. Проведені термодинамічні, кінетичні та експериментальні дослідження. На підставі термодинамічного аналізу процесу термічної обробки рисового лушпиння (РЛ) встановлена принципова можливість одержання силіцій (ІV) оксиду з РЛ, температурний інтервал існування максимальної концентрації силіцій (ІV) оксиду. На основі проведених експериментальних досліджень визначені технологічні параметри процесу одержання силіцій (ІV) оксиду.
Technological parameters of process have been established and ways of reception dioxide silicon from a rice peel are developed. Are spent thermodynamic, kinetic and experimental researches. For reception dioxide silicon from a rice peel of the raised cleanliness, it is necessary preliminary chemical processing. Based on the spent experimental researches technological parameters of process of reception dioxide silicon have been defined. |
|
| Date |
2015-12-23T10:41:55Z
2015-12-23T10:41:55Z 2010 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Гриднева Т. В. Физико-химические основы процесса получения диоксида кремния из рисовой шелухи / Т. В. Гриднева, П. И. Сорока, О. А. Тертышный // Вестник Нац. техн. ун-та "ХПИ" : сб. науч. тр. Темат. вып. : Химия, химическая технология и экология. – Харьков : НТУ "ХПИ". – 2010. – № 10. – С. 124-134.
http://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/19019 |
|
| Language |
ru
|
|
| Publisher |
НТУ "ХПИ"
|
|