Кінетичний аналіз накопичення дефектів в радіаційній технології модифікації структури кристалів опроміненням
Цифровой репозитарии Национального технического университета "Харьковский политехнический институт" (eNTUKhPIIR)
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Кінетичний аналіз накопичення дефектів в радіаційній технології модифікації структури кристалів опроміненням
|
|
| Creator |
Огурцов, Олександр Миколайович
Близнюк, Ольга Миколаївна Масалітіна, Наталія Юріївна |
|
| Subject |
конденсовані системи
точковий дефект кінетична модель електронні збудження процеси релаксації |
|
| Description |
Запропонована кінетична модель процесу формування точкового дефекту внаслідок релаксації електронних збуджень в конденсованих системах. Проведений аналіз дозових кривих інтенсивності смуг люмінесценції в кристалах інертних елементів. Одержані значення характеристичних кінетичних констант добре узгоджуються з відомою ієрархією процесів релаксації електронних збуджень.
Kinetic model for the process of point defect formation induced by electronic excitation relaxation in condensed systems is proposed. The analysis of dose curves of intensity of noble crystal luminescence bands was made. The determined characteristic kinetic constants are found to be in good agreement with known hierarchy of electronic excitation relaxation processes. |
|
| Date |
2016-01-15T11:12:08Z
2016-01-15T11:12:08Z 2010 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Огурцов О. М. Кінетичний аналіз накопичення дефектів в радіаційній технології модифікації структури кристалів опроміненням / О. М. Огурцов, О. М. Близнюк, Н. Ю. Масалітіна // Вісник Нац. техн. ун-ту "ХПІ" : зб. наук. пр. Темат. вип. : Хімія, хімічна технологія та екологія. – Харків : НТУ "ХПІ". – 2010. – № 11. – С. 95-99.
http://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/19240 |
|
| Language |
uk
|
|
| Publisher |
НТУ "ХПІ"
|
|