Однокристальний перетворювач імітансу
Репозитарій Вінницького Національного Технічного Університету
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Однокристальний перетворювач імітансу
Однокристальный преобразователь иммитанса Single-crystal immitance converter |
|
| Creator |
Ліщинська, Людмила Броніславівна
Лищинская, Людмила Брониславовна Lischynska, Liudmyla Bronislavivna |
|
| Subject |
H03K 19/20
автоматика перетворювач імітансу однокристальний перетворювач |
|
| Description |
Однокристальний перетворювач імітансу, складається з польового транзистора, стік якого через перший резистор з'єднаний з першою клемою живлення і через перший конденсатор з'єднаний з вихідною клемою, витік польового транзистора з'єднаний зі спільною шиною, а затвор транзистора через другий конденсатор з'єднаний з вхідною клемою і через другий резистор з'єднаний з другою клемою живлення. Стік польового транзистора через послідовно включені третій конденсатор і третій резистор з'єднаний із затвором польового транзистора.
Однокристальный преобразователь иммитанса состоит из полевого транзистора, сток которого при помощи первого резистора соединен с первой клеммой питания и при помощи первого конденсатора соединен с выходной клеммой, исток полевого транзистора соединен с общей шиной, а затвор транзистора при помощи второго конденсатора соединен с входной клеммой и при помощи второго резистора соединен со второй клеммой питания. Сток полевого транзистора при помощи последовательно включенных третьего конденсатора и третьего резистора соединен с затвором полевого транзистора. A single-crystal immitance converter comprises a field-effect transistor, whose drain is connected to a first power supply terminal by means of a first resistor and to an output terminal by means of a first capacitor, a source of field-effect transistor is connected to a global bus; the transistor drain is connected to the input terminal through the second capacitor, and connected to the second power supply terminal through the second resistance. The field-effect transistor drain is connected to the gate of field-effect transistor through the series connected third capacitor and third resistor. |
|
| Date |
2015-08-18T10:16:00Z
2015-08-18T10:16:00Z 2014-04-10 |
|
| Type |
Patent
|
|
| Identifier |
88823
Пат. 88823 UA, МПК H03K 19/20. Однокристальний перетворювач імітансу [Текст] / Л. Б. Ліщинська (Україна). - № u201303883 ; заявл. 29.03.2013 ; опубл. 10.04.2014, Бюл. № 7. - 4 с. : кресл. http://ir.lib.vntu.edu.ua/handle/123456789/1582 |
|
| Language |
uk_UA
|
|
| Publisher |
Державне підприємство "Український інститут промислової власності" (УКРПАТЕНТ)
|
|